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Nitrogen doping of ZnTe and its influence on CdTe∕ZnTe interfaces

Späth, B. ; Fritsche, J. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, W. (2007)
Nitrogen doping of ZnTe and its influence on CdTe∕ZnTe interfaces.
In: Applied Physics Letters, 90 (6)
doi: 10.1063/1.2459589
Artikel, Bibliographie

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Kurzbeschreibung (Abstract)

The properties of nitrogen doped ZnTe films and in situ formed heterointerfaces to CdTe were investigated using photoelectron spectroscopy and electrical measurements. The p doping of ZnTe with nitrogen is controlled during physical vapor deposition with an additional nitrogen plasma source. The resistivity was determined by four-point measurements and a minimum resistivity of ρ = 0.04 Ω cm was found. The valence band offset of the CdTe/ZnTe interface is EVBO = 0.05 eV.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2007
Autor(en): Späth, B. ; Fritsche, J. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, W.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Nitrogen doping of ZnTe and its influence on CdTe∕ZnTe interfaces
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 2007
Verlag: AIP Publishing
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Applied Physics Letters
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 90
(Heft-)Nummer: 6
DOI: 10.1063/1.2459589
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Kurzbeschreibung (Abstract):

The properties of nitrogen doped ZnTe films and in situ formed heterointerfaces to CdTe were investigated using photoelectron spectroscopy and electrical measurements. The p doping of ZnTe with nitrogen is controlled during physical vapor deposition with an additional nitrogen plasma source. The resistivity was determined by four-point measurements and a minimum resistivity of ρ = 0.04 Ω cm was found. The valence band offset of the CdTe/ZnTe interface is EVBO = 0.05 eV.

Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung
Hinterlegungsdatum: 29 Okt 2011 08:20
Letzte Änderung: 26 Jul 2024 10:11
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