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Surface potentials of magnetron sputtered transparent conducting oxides

Klein, Andreas ; Körber, C. ; Wachau, A. ; Säuberlich, F. ; Gassenbauer, Y. ; Schafranek, R. ; Harvey, S. P. ; Mason, T. O. (2009)
Surface potentials of magnetron sputtered transparent conducting oxides.
In: Thin Solid Films, 518 (4)
doi: 10.1016/j.tsf.2009.05.057
Artikel, Bibliographie

Kurzbeschreibung (Abstract)

Work functions, ionization potentials (electron affinities) and Fermi level positions measured in-situ by photoelectron spectroscopy at surfaces of transparent conducting oxides are presented. Thin films of ZnO, ZnO:Al, SnO2, SnO2:Sb, In2O3, In2O3:Sn, and In2O3:(Zn,Sn) are prepared by magnetron sputtering. The Fermi level position is strongly affected by the oxygen content in the sputter gas. The ionization potential and work function of ZnO are strongly affected by surface orientation. In contrast, SnO2-based and In2O3-based materials show pronounced changes of ionization potential and work function induced by surface oxidation and reduction. Unlike SnO2, the oxidation of the In2O3-based TCO surfaces does not occur during deposition but can be induced by post-deposition treatments.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2009
Autor(en): Klein, Andreas ; Körber, C. ; Wachau, A. ; Säuberlich, F. ; Gassenbauer, Y. ; Schafranek, R. ; Harvey, S. P. ; Mason, T. O.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Surface potentials of magnetron sputtered transparent conducting oxides
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: Dezember 2009
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Thin Solid Films
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 518
(Heft-)Nummer: 4
DOI: 10.1016/j.tsf.2009.05.057
Kurzbeschreibung (Abstract):

Work functions, ionization potentials (electron affinities) and Fermi level positions measured in-situ by photoelectron spectroscopy at surfaces of transparent conducting oxides are presented. Thin films of ZnO, ZnO:Al, SnO2, SnO2:Sb, In2O3, In2O3:Sn, and In2O3:(Zn,Sn) are prepared by magnetron sputtering. The Fermi level position is strongly affected by the oxygen content in the sputter gas. The ionization potential and work function of ZnO are strongly affected by surface orientation. In contrast, SnO2-based and In2O3-based materials show pronounced changes of ionization potential and work function induced by surface oxidation and reduction. Unlike SnO2, the oxidation of the In2O3-based TCO surfaces does not occur during deposition but can be induced by post-deposition treatments.

Freie Schlagworte: Work function; SnO2; In2O3; ZnO; TCO; Thin film; Magnetron sputtering; Photoemission
Zusätzliche Informationen:

SFB 595 D3

Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung
Zentrale Einrichtungen
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DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio)
Hinterlegungsdatum: 16 Sep 2011 12:36
Letzte Änderung: 25 Mär 2015 20:57
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