Zakutayev, A. ; Tate, Janet ; Platt, H. A. S. ; Keszler, D. A. ; Barati, A. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, W. (2010)
Band alignment at the BaCuSeF/ZnTe interface.
In: Applied Physics Letters, 96 (16)
doi: 10.1063/1.3405757
Artikel, Bibliographie
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Kurzbeschreibung (Abstract)
In situ photoemission spectroscopy experiments are used to characterize the interface between ZnTe and the wide band gap p-type semiconductor BaCuSeF. The contact is characterized by a null valence-band offset, a large conduction-band offset, and a chemically graded interface. By applying the transitivity rule for band offset and on the basis of similarities in chemical composition, BaCuSeF contact to chalcogenide photovoltaic absorber materials would be expected to have similar properties. By extension, BaCuChF (Ch = S,Se,Te) materials are suitable as p-layers in p-i-n double-heterojunction solar cells fabricated with CdTe, Cu(InGa)Se2, and Cu2ZnSnS4 absorbers.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2010 |
| Autor(en): | Zakutayev, A. ; Tate, Janet ; Platt, H. A. S. ; Keszler, D. A. ; Barati, A. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, W. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Band alignment at the BaCuSeF/ZnTe interface |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | April 2010 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Applied Physics Letters |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 96 |
| (Heft-)Nummer: | 16 |
| DOI: | 10.1063/1.3405757 |
| Zugehörige Links: | |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | In situ photoemission spectroscopy experiments are used to characterize the interface between ZnTe and the wide band gap p-type semiconductor BaCuSeF. The contact is characterized by a null valence-band offset, a large conduction-band offset, and a chemically graded interface. By applying the transitivity rule for band offset and on the basis of similarities in chemical composition, BaCuSeF contact to chalcogenide photovoltaic absorber materials would be expected to have similar properties. By extension, BaCuChF (Ch = S,Se,Te) materials are suitable as p-layers in p-i-n double-heterojunction solar cells fabricated with CdTe, Cu(InGa)Se2, and Cu2ZnSnS4 absorbers. |
| Freie Schlagworte: | barium compounds, chalcogenide glasses, conduction bands, copper compounds, II-VI semiconductors, interface states, nanocontacts, p-n heterojunctions, selenium compounds, solar cells, valence bands, wide band gap semiconductors, X-ray photoelectron spectra, zinc compounds |
| Zusätzliche Informationen: | SFB 595 Cooperation D3, D5 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche Zentrale Einrichtungen DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften > Teilprojekt D3: Funktion und Ermüdung oxidischer Elektroden in organischen Leuchtdioden DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften > Teilprojekt D5: Herstellung und Charakterisierung von Li-Ionen Dünnschichtbatterien |
| Hinterlegungsdatum: | 16 Sep 2011 12:29 |
| Letzte Änderung: | 03 Jul 2024 02:19 |
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Verfügbare Versionen dieses Eintrags
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Band alignment at the BaCuSeF/ZnTe interface. (deposited 05 Nov 2021 13:13)
- Band alignment at the BaCuSeF/ZnTe interface. (deposited 16 Sep 2011 12:29) [Gegenwärtig angezeigt]
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