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Electronic properties of BaCuChF (Ch = S, Se, Te) surfaces and BaCuSeF/ZnPc interfaces

Zakutayev, A. ; Tate, J. ; Platt, H. A. S. ; Keszler, D. A. ; Hein, C. ; Mayer, T. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, W. (2010)
Electronic properties of BaCuChF (Ch = S, Se, Te) surfaces and BaCuSeF/ZnPc interfaces.
In: Journal of Applied Physics, 107 (10)
doi: 10.1063/1.3380594
Artikel, Bibliographie

Dies ist die neueste Version dieses Eintrags.

Kurzbeschreibung (Abstract)

BaCuChF (Ch = S,Se,Te) surfaces and BaCuSeF interfaces with zinc phthalocyanine (ZnPc) were studied by photoelectron spectroscopy. BaCuChF compounds oxidize when exposed to ambient atmosphere. Se capping layers were studied as a means to produce representative surfaces for photoelectron spectroscopic measurements. Decapped BaCuSeF surfaces remain O-free and C-free when the Se layer is evaporated but they become F-deficient. The resulting surfaces have work functions of 4.85 eV and Fermi levels located 0.25 eV above the valence band maximum. In situ stepwise deposition of ZnPc on a BaCuSeF film surface produced a chemically inert interface with a hole-injection barrier of 0.11 eV.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2010
Autor(en): Zakutayev, A. ; Tate, J. ; Platt, H. A. S. ; Keszler, D. A. ; Hein, C. ; Mayer, T. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, W.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Electronic properties of BaCuChF (Ch = S, Se, Te) surfaces and BaCuSeF/ZnPc interfaces
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: Mai 2010
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of Applied Physics
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 107
(Heft-)Nummer: 10
DOI: 10.1063/1.3380594
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Kurzbeschreibung (Abstract):

BaCuChF (Ch = S,Se,Te) surfaces and BaCuSeF interfaces with zinc phthalocyanine (ZnPc) were studied by photoelectron spectroscopy. BaCuChF compounds oxidize when exposed to ambient atmosphere. Se capping layers were studied as a means to produce representative surfaces for photoelectron spectroscopic measurements. Decapped BaCuSeF surfaces remain O-free and C-free when the Se layer is evaporated but they become F-deficient. The resulting surfaces have work functions of 4.85 eV and Fermi levels located 0.25 eV above the valence band maximum. In situ stepwise deposition of ZnPc on a BaCuSeF film surface produced a chemically inert interface with a hole-injection barrier of 0.11 eV.

Freie Schlagworte: barium compounds, chalcogenide glasses, copper compounds, Fermi level, interface states, organic semiconductors, organometallic compounds, photoelectron spectra, selenium compounds, semiconductor junctions, sulphur compounds, surface states, tellurium compounds, valence bands, work function, zinc compounds
Zusätzliche Informationen:

SFB 595 Cooperation D3, D5

Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio)
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche
Zentrale Einrichtungen
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften > Teilprojekt D3: Funktion und Ermüdung oxidischer Elektroden in organischen Leuchtdioden
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften > Teilprojekt D5: Herstellung und Charakterisierung von Li-Ionen Dünnschichtbatterien
Hinterlegungsdatum: 16 Sep 2011 12:26
Letzte Änderung: 03 Jul 2024 02:19
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