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Bestimmung des Einflusses von Oxid-Schichten und der Temperatur auf die Entwurfskennwerte von realen Si- Druckmeßplatten

Erbse, Dirk (2001)
Bestimmung des Einflusses von Oxid-Schichten und der Temperatur auf die Entwurfskennwerte von realen Si- Druckmeßplatten.
Technische Universität Darmstadt
Studienarbeit, Bibliographie

Kurzbeschreibung (Abstract)

Zusammenfassung:

In dieser Studienarbeit geht es um den Vergleich zwischen der analytischen Berechnung und der Finite Elemente Simulation des Durchbiegungsverhaltens von Si-Drucksensoren, auf die eine SiO2 Schicht zur Passivierung aufgebracht worden ist. Der Drucksensor wurde dazu auf das Problem eines eingespannten, rechteckigen Si-Sio2-Schichtverbund reduziert, dessen Durchbiegung bestimmt werden soll. Die Durchbiegung wurde analytisch mit Hilfe des Programmes Mathematika berechent. Die Simulationen mit der Finiten Elemente Methode wurde mit dem Simulationsprogramm (Finite Elemente Programm) ANSYS realisiert. In der Arbeit werden mit Hilfe der Finite Elemente Simulation die Grenzen der analytischen Ansätze gezeigt, die bei der Berechnungen von Schichtverbünden entstehen. Als theoretische Ansätze wurde eine durch die Laminattheorie verbesserte Kirchhoff-Gleichung benutzt. Ferner wurde eine äquivalente Platte berechnet. Die Arbeit zeigt, dass die theoretischen Berechnungen nur innerhalb enger Grenzen möglich sind und die theoretischen Ansätze bei sehr dünnen und dickeren Platten (größer 1:4) keine brauchbaren Ergebnisse liefern. Es liegen Simulationen und automatisierte Brechnungen auf CD vor.

Typ des Eintrags: Studienarbeit
Erschienen: 2001
Autor(en): Erbse, Dirk
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Bestimmung des Einflusses von Oxid-Schichten und der Temperatur auf die Entwurfskennwerte von realen Si- Druckmeßplatten
Sprache: Deutsch
Referenten: Stavroulis, Dipl.-Ing. Stefanos ; Werthschützky, Prof. Dr.- Roland
Publikationsjahr: 12 Oktober 2001
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Kurzbeschreibung (Abstract):

Zusammenfassung:

In dieser Studienarbeit geht es um den Vergleich zwischen der analytischen Berechnung und der Finite Elemente Simulation des Durchbiegungsverhaltens von Si-Drucksensoren, auf die eine SiO2 Schicht zur Passivierung aufgebracht worden ist. Der Drucksensor wurde dazu auf das Problem eines eingespannten, rechteckigen Si-Sio2-Schichtverbund reduziert, dessen Durchbiegung bestimmt werden soll. Die Durchbiegung wurde analytisch mit Hilfe des Programmes Mathematika berechent. Die Simulationen mit der Finiten Elemente Methode wurde mit dem Simulationsprogramm (Finite Elemente Programm) ANSYS realisiert. In der Arbeit werden mit Hilfe der Finite Elemente Simulation die Grenzen der analytischen Ansätze gezeigt, die bei der Berechnungen von Schichtverbünden entstehen. Als theoretische Ansätze wurde eine durch die Laminattheorie verbesserte Kirchhoff-Gleichung benutzt. Ferner wurde eine äquivalente Platte berechnet. Die Arbeit zeigt, dass die theoretischen Berechnungen nur innerhalb enger Grenzen möglich sind und die theoretischen Ansätze bei sehr dünnen und dickeren Platten (größer 1:4) keine brauchbaren Ergebnisse liefern. Es liegen Simulationen und automatisierte Brechnungen auf CD vor.

Freie Schlagworte: Elektromechanische Konstruktionen, Mikro- und Feinwerktechnik, Biegeelement Berechnung, Durchbiegung, Finite Elemente Programm ANSYS, Schichtverbund Berechnung, Simulation Drucksensor resistiv, Simulationsprogramm ANSYS, Si-Sio2-Schichtverbund
ID-Nummer: 17/24 EMKS 1486
Zusätzliche Informationen:

EMK-spezifische Daten:

Lagerort Dokument: Archiv EMK, Kontakt über Sekretariate,

Bibliotheks-Sigel: 17/24 EMKS 1486

Art der Arbeit: Studienarbeit

Beginn Datum: 18-12-2000

Ende Datum: 12-10-2001

Querverweis: 17/24 EMKD 1492

Studiengang: Elektrotechnik und Informationstechnik (ETiT)

Vertiefungsrichtung: Mikro- und Feinwerktechnik (MFT)

Abschluss: Diplom (MFT)

Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Elektromechanische Konstruktionen (aufgelöst 18.12.2018)
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mess- und Sensortechnik
Hinterlegungsdatum: 07 Sep 2011 16:35
Letzte Änderung: 05 Mär 2013 09:53
PPN:
Referenten: Stavroulis, Dipl.-Ing. Stefanos ; Werthschützky, Prof. Dr.- Roland
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