Genenko, Yuri A. ; Yampolskii, Sergey V. ; Melzer, Christian ; Seggern, Heinz von (2009)
Self-Consistent Phenomenological Theory of Charge Injection at the Conductor/Insulator Interface.
In: Integrated Ferroelectrics, 106 (1)
doi: 10.1080/10584580903213225
Artikel, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
Self-consistent mean-field model of charge injection based on the matching of electric displacement and electrochemical potential in the electrode and the insulator is extended so as to account for discreteness of charge carriers. The improved scheme includes both the Schottky barrier lowering due to the individual image charge and the barrier change due to the field penetration into the injecting electrode. Applications of the theory to the cases of high-permittivity dielectric capacitors and organic light-emitting diodes are exemplarily presented.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2009 |
| Autor(en): | Genenko, Yuri A. ; Yampolskii, Sergey V. ; Melzer, Christian ; Seggern, Heinz von |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Self-Consistent Phenomenological Theory of Charge Injection at the Conductor/Insulator Interface |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | Oktober 2009 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Integrated Ferroelectrics |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 106 |
| (Heft-)Nummer: | 1 |
| DOI: | 10.1080/10584580903213225 |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | Self-consistent mean-field model of charge injection based on the matching of electric displacement and electrochemical potential in the electrode and the insulator is extended so as to account for discreteness of charge carriers. The improved scheme includes both the Schottky barrier lowering due to the individual image charge and the barrier change due to the field penetration into the injecting electrode. Applications of the theory to the cases of high-permittivity dielectric capacitors and organic light-emitting diodes are exemplarily presented. |
| Zusätzliche Informationen: | SFB 595 Cooperation C5, D4 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung > Teilprojekt C5: Phänomenologische Modellierung von Injektion, Transport und Rekombination in Bauelementen aus organischen Halbleitern sowie aus nichtorganischen Ferroelektrika DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften > Teilprojekt D4: Betriebsbedingte Ermüdung von Bauelementen aus organischen Halbleitern DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung Zentrale Einrichtungen DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) |
| Hinterlegungsdatum: | 17 Aug 2011 11:49 |
| Letzte Änderung: | 05 Mär 2013 09:52 |
| PPN: | |
| Export: | |
| Suche nach Titel in: | TUfind oder in Google |
 |
Frage zum Eintrag |
Optionen (nur für Redakteure)
 |
Redaktionelle Details anzeigen |
Drucken
Impressum