Yampolskii, Sergey V. ; Genenko, Yuri A. ; Melzer, Christian ; Seggern, Heinz von (2011)
Self-consistent model of unipolar transport in organic semiconductor diodes: Accounting for a realistic density-of-states distribution.
In: Journal of Applied Physics, 109 (7)
doi: 10.1063/1.3569839
Artikel, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
A self-consistent, mean-field model of charge-carrier injection and unipolar transport in an organic semiconductor diode is developed utilizing the effective transport energy concept and taking into account a realistic density-of-states distribution as well as the presence of trap states in an organic material. The consequences resulting from the model are exemplarily discussed on the basis of an indium tin oxide/organic semiconductor/metallic conductor structure. A comparison of the theory to experimental data of a unipolar indium tin oxide/poly-3-hexyl-thiophene/Al device is presented.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2011 |
| Autor(en): | Yampolskii, Sergey V. ; Genenko, Yuri A. ; Melzer, Christian ; Seggern, Heinz von |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Self-consistent model of unipolar transport in organic semiconductor diodes: Accounting for a realistic density-of-states distribution |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | April 2011 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of Applied Physics |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 109 |
| (Heft-)Nummer: | 7 |
| DOI: | 10.1063/1.3569839 |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | A self-consistent, mean-field model of charge-carrier injection and unipolar transport in an organic semiconductor diode is developed utilizing the effective transport energy concept and taking into account a realistic density-of-states distribution as well as the presence of trap states in an organic material. The consequences resulting from the model are exemplarily discussed on the basis of an indium tin oxide/organic semiconductor/metallic conductor structure. A comparison of the theory to experimental data of a unipolar indium tin oxide/poly-3-hexyl-thiophene/Al device is presented. |
| Freie Schlagworte: | electronic density of states, organic semiconductors, semiconductor device models, semiconductor diodes |
| Zusätzliche Informationen: | SFB 595 Cooperation C5, D4 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung > Teilprojekt C5: Phänomenologische Modellierung von Injektion, Transport und Rekombination in Bauelementen aus organischen Halbleitern sowie aus nichtorganischen Ferroelektrika DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften > Teilprojekt D4: Betriebsbedingte Ermüdung von Bauelementen aus organischen Halbleitern DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung Zentrale Einrichtungen DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) |
| Hinterlegungsdatum: | 17 Aug 2011 09:49 |
| Letzte Änderung: | 05 Mär 2013 09:52 |
| PPN: | |
| Export: | |
| Suche nach Titel in: | TUfind oder in Google |
 |
Frage zum Eintrag |
Optionen (nur für Redakteure)
 |
Redaktionelle Details anzeigen |
Drucken
Impressum