Erhart, Paul ; Albe, Karsten (2006)
Diffusion of zinc vacancies and interstitials in zinc oxide.
In: Applied Physics Letters, 88 (20)
doi: 10.1063/1.2206559
Artikel, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
The self-diffusion coefficient of zinc in ZnO is derived as a function of the chemical potential and Fermi level from first-principles calculations. Density functional calculations in combination with the climbing image-nudged elastic band method are used in order to determine migration barriers for vacancy, interstitial, and interstitialcy jumps. Zinc interstitials preferentially diffuse to second nearest neighbor positions. They become mobile at temperatures as low as 90–130 K and therefore allow for rapid defect annealing. Under predominantly oxygen-rich and n-type conditions self-diffusion occurs via a vacancy mechanism.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2006 |
| Autor(en): | Erhart, Paul ; Albe, Karsten |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Diffusion of zinc vacancies and interstitials in zinc oxide |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | Mai 2006 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Applied Physics Letters |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 88 |
| (Heft-)Nummer: | 20 |
| DOI: | 10.1063/1.2206559 |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | The self-diffusion coefficient of zinc in ZnO is derived as a function of the chemical potential and Fermi level from first-principles calculations. Density functional calculations in combination with the climbing image-nudged elastic band method are used in order to determine migration barriers for vacancy, interstitial, and interstitialcy jumps. Zinc interstitials preferentially diffuse to second nearest neighbor positions. They become mobile at temperatures as low as 90–130 K and therefore allow for rapid defect annealing. Under predominantly oxygen-rich and n-type conditions self-diffusion occurs via a vacancy mechanism. |
| Freie Schlagworte: | zinc compounds, II-VI semiconductors, wide band gap semiconductors, self-diffusion, vacancies (crystal), interstitials, chemical potential, Fermi level, ab initio calculations, density functional theory, rapid thermal annealing |
| Zusätzliche Informationen: | SFB 595 C2 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Materialanalytik Zentrale Einrichtungen DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung > Teilprojekt C2: Atomistische Computersimulationen von Defekten und deren Bewegung in Metalloxiden 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) |
| Hinterlegungsdatum: | 16 Aug 2011 13:24 |
| Letzte Änderung: | 05 Mär 2013 09:51 |
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