Erhart, Paul ; Klein, Andreas ; Egdell, Russell ; Albe, Karsten (2007)
Band structure of indium oxide: Indirect versus direct band gap.
In: Physical Review B, 75 (15)
doi: 10.1103/PhysRevB.75.153205
Artikel, Bibliographie
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Kurzbeschreibung (Abstract)
The nature of the band gap of indium oxide is still a matter of debate. Based on optical measurements the presence of an indirect band gap has been suggested, which is 0.9 to 1.1 eV smaller than the direct band gap at the Γ point. This could be caused by strong mixing of O 2p and In 4d orbitals off Γ. We have performed extensive density functional theory calculations using the LDA+U and the GGA+U methods to elucidate the contribution of the In 4d states and the effect of spin-orbit coupling on the valence band structure. Although an indirect band gap is obtained, the energy difference between the overall valence band maximum and the highest occupied level at the Γ point is less than 50 meV. It is concluded that the experimental observation cannot be related to the electronic structure of the defect free bulk material.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2007 |
| Autor(en): | Erhart, Paul ; Klein, Andreas ; Egdell, Russell ; Albe, Karsten |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Band structure of indium oxide: Indirect versus direct band gap |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 25 April 2007 |
| Verlag: | American Physical Society |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Physical Review B |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 75 |
| (Heft-)Nummer: | 15 |
| DOI: | 10.1103/PhysRevB.75.153205 |
| Zugehörige Links: | |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | The nature of the band gap of indium oxide is still a matter of debate. Based on optical measurements the presence of an indirect band gap has been suggested, which is 0.9 to 1.1 eV smaller than the direct band gap at the Γ point. This could be caused by strong mixing of O 2p and In 4d orbitals off Γ. We have performed extensive density functional theory calculations using the LDA+U and the GGA+U methods to elucidate the contribution of the In 4d states and the effect of spin-orbit coupling on the valence band structure. Although an indirect band gap is obtained, the energy difference between the overall valence band maximum and the highest occupied level at the Γ point is less than 50 meV. It is concluded that the experimental observation cannot be related to the electronic structure of the defect free bulk material. |
| Zusätzliche Informationen: | SFB 595 Cooperation C2, D3 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Materialmodellierung 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche Zentrale Einrichtungen DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung > Teilprojekt C2: Atomistische Computersimulationen von Defekten und deren Bewegung in Metalloxiden DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften > Teilprojekt D3: Funktion und Ermüdung oxidischer Elektroden in organischen Leuchtdioden |
| Hinterlegungsdatum: | 16 Aug 2011 13:18 |
| Letzte Änderung: | 03 Jul 2024 02:19 |
| PPN: | |
| Sponsoren: | This project was funded by the Sonderforschungsbereich 595 “Fatigue in functional materials” of the Deutsche Forschungsgemeinschaft. |
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Verfügbare Versionen dieses Eintrags
-
Band structure of indium oxide: Indirect versus direct band gap. (deposited 19 Apr 2022 13:30)
- Band structure of indium oxide: Indirect versus direct band gap. (deposited 16 Aug 2011 13:18) [Gegenwärtig angezeigt]
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