Chen, F. ; Schafranek, R. ; Li, S. ; Wu, W. B. ; Klein, Andreas (2010)
Energy band alignment between Pb(Zr,Ti)O3 and high and low work function conducting oxides — from hole to electron injection.
In: Journal of Physics D: Applied Physics, 43 (29)
doi: 10.1088/0022-3727/43/29/295301
Artikel, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
The interface formation between Pb(Zr,Ti)O(3) (PZT) and RuO(2) and between PZT and In(2)O(3) : Sn (ITO), respectively, was characterized using in situ x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). No interface reaction was observed for the interfaces studied. The Fermi level position at the interface (Schottky barrier height) is strongly different for the two electrode materials. A Fermi level position of 1.0 +/- 0.1 eV above the valence band maximum (VBM) is observed for the contact between PZT and the high work function oxide RuO(2). For the contact between PZT and the low work function oxide ITO a Fermi level position of 2.1 +/- 0.2 eV above the VBM is found.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2010 |
| Autor(en): | Chen, F. ; Schafranek, R. ; Li, S. ; Wu, W. B. ; Klein, Andreas |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Energy band alignment between Pb(Zr,Ti)O3 and high and low work function conducting oxides — from hole to electron injection |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | Juli 2010 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of Physics D: Applied Physics |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 43 |
| (Heft-)Nummer: | 29 |
| DOI: | 10.1088/0022-3727/43/29/295301 |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | The interface formation between Pb(Zr,Ti)O(3) (PZT) and RuO(2) and between PZT and In(2)O(3) : Sn (ITO), respectively, was characterized using in situ x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). No interface reaction was observed for the interfaces studied. The Fermi level position at the interface (Schottky barrier height) is strongly different for the two electrode materials. A Fermi level position of 1.0 +/- 0.1 eV above the valence band maximum (VBM) is observed for the contact between PZT and the high work function oxide RuO(2). For the contact between PZT and the low work function oxide ITO a Fermi level position of 2.1 +/- 0.2 eV above the VBM is found. |
| Freie Schlagworte: | RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY; FERROELECTRIC THIN-FILMS; BARRIER HEIGHTS; LEAD TITANATE; FATIGUE; PHOTOEMISSION; FABRICATION; CAPACITORS; H-2 |
| Zusätzliche Informationen: | SFB 595 B7 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung Zentrale Einrichtungen DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > B - Charakterisierung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > B - Charakterisierung > Teilprojekt B7:Polarisation und Ladung in elektrisch ermüdeten Ferroelektrika DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) |
| Hinterlegungsdatum: | 15 Aug 2011 12:32 |
| Letzte Änderung: | 25 Mär 2015 22:18 |
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