Wu, Qi-Hui ; Thissen, Andreas ; Jaegermann, Wolfram ; Liu, Meilin (2004)
Photoelectron spectroscopy study of oxygen vacancy on vanadium oxides surface.
In: Applied Surface Science, 236 (1-4)
doi: 10.1016/j.apsusc.2004.05.112
Artikel, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
The thermal properties of vanadium pentoxide (V2O5) thin films have been studied by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS). XPS and UPS data demonstrate that V2O5 thin films are gradually reduced by annealing in the ultrahigh vacuum chamber at temperatures up to 400 °C due to the formation of oxygen vacancy. The oxygen defect in the remaining thin film leads to the appearance of a new emission line at about 10.3 eV in the valence bands, which is direct evidence for oxygen vacancy on a solid surface.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2004 |
| Autor(en): | Wu, Qi-Hui ; Thissen, Andreas ; Jaegermann, Wolfram ; Liu, Meilin |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Photoelectron spectroscopy study of oxygen vacancy on vanadium oxides surface |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | September 2004 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Applied Surface Science |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 236 |
| (Heft-)Nummer: | 1-4 |
| DOI: | 10.1016/j.apsusc.2004.05.112 |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | The thermal properties of vanadium pentoxide (V2O5) thin films have been studied by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS). XPS and UPS data demonstrate that V2O5 thin films are gradually reduced by annealing in the ultrahigh vacuum chamber at temperatures up to 400 °C due to the formation of oxygen vacancy. The oxygen defect in the remaining thin film leads to the appearance of a new emission line at about 10.3 eV in the valence bands, which is direct evidence for oxygen vacancy on a solid surface. |
| Freie Schlagworte: | Vanadium pentoxide; XPS; UPS; Oxygen vacancy 79.60 |
| Zusätzliche Informationen: | SFB 595 A3 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung Zentrale Einrichtungen DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > A - Synthese DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > A - Synthese > Teilprojekt A3: Grenzflächen und dünne Schichten von Ionenleitern: Elektronische Struktur, elektrochemische Potentiale, Defektbildung und Degradationsmechanismen DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) |
| Hinterlegungsdatum: | 04 Aug 2011 09:40 |
| Letzte Änderung: | 21 Mär 2015 11:47 |
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