Wang, Yu (2010)
Statisches Übertragungsverhalten eines überlastfesten Siliziumdrucksensors.
Technische Universität Darmstadt
Studienarbeit, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
Diese Studienarbeit beschäftigt sich mit der Erfassung des statischen Verhaltens eines überlastfesten Siliziumdrucksensors mit Silizium-DMS. Ausgangspunkt ist eine Silizium-Druckmessplatte, die auf ein Glasgegenlager anodisch gebondet ist. Die Silizium-DMS können nur auf die Seite der Silizium-Druckmessplatte, die nicht gegen das Glasgegenlager gebondet wird, geklebt werden. Um die geeignete Position der Silizium-DMS zu finden wird das mechanische Verhalten der Silizium-Druckmessplatte durch FEM-Simulation analysiert. Nach dem Festlegen der Position der Silizium-DMS werden die geeigneten Silizium-DMS ausgewählt. Silizium-DMS werden mit Klebstoff auf die Silizium-Druckmessplatte geklebt. Um die Rückwirkung des Klebstoffs für das statische Übertragungsverhalten der Silizium-Druckmessplatte zu erkennen wird ein Vorversuch durchgeführt. Die Messergebnisse der Silizium-Druckmessplatte mit und ohne Klebstoff werden verglichen. Durch den Vorversuch wird gezeigt, dass durch die Beeinflussung des Klebstoffs der Hysteresefehler und Linearitätsfehler deutlich erhöht werden. Um die Rückwirkung des Klebstoffs zu reduzieren wird eine Lösung mit Hilfe der Technologie der Mikrosystemtechnik für die Herstellung einer definierten Geometrie des Klebstoffs gefunden. In der Arbeit werden zwei Demonstratoren mit geraden und U-förmigen Silizium-DMS aufgebaut. Die Experimente werden im Nenndruckbereich und Überlastdruckbereich durchgeführt.
Typ des Eintrags: | Studienarbeit |
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Erschienen: | 2010 |
Autor(en): | Wang, Yu |
Art des Eintrags: | Bibliographie |
Titel: | Statisches Übertragungsverhalten eines überlastfesten Siliziumdrucksensors |
Sprache: | Deutsch |
Referenten: | Werthschützky, Prof. Dr.- Roland ; Kober, Dipl.-Ing. Timo |
Publikationsjahr: | 5 Mai 2010 |
Datum der mündlichen Prüfung: | 5 Mai 2010 |
Zugehörige Links: | |
Kurzbeschreibung (Abstract): | Diese Studienarbeit beschäftigt sich mit der Erfassung des statischen Verhaltens eines überlastfesten Siliziumdrucksensors mit Silizium-DMS. Ausgangspunkt ist eine Silizium-Druckmessplatte, die auf ein Glasgegenlager anodisch gebondet ist. Die Silizium-DMS können nur auf die Seite der Silizium-Druckmessplatte, die nicht gegen das Glasgegenlager gebondet wird, geklebt werden. Um die geeignete Position der Silizium-DMS zu finden wird das mechanische Verhalten der Silizium-Druckmessplatte durch FEM-Simulation analysiert. Nach dem Festlegen der Position der Silizium-DMS werden die geeigneten Silizium-DMS ausgewählt. Silizium-DMS werden mit Klebstoff auf die Silizium-Druckmessplatte geklebt. Um die Rückwirkung des Klebstoffs für das statische Übertragungsverhalten der Silizium-Druckmessplatte zu erkennen wird ein Vorversuch durchgeführt. Die Messergebnisse der Silizium-Druckmessplatte mit und ohne Klebstoff werden verglichen. Durch den Vorversuch wird gezeigt, dass durch die Beeinflussung des Klebstoffs der Hysteresefehler und Linearitätsfehler deutlich erhöht werden. Um die Rückwirkung des Klebstoffs zu reduzieren wird eine Lösung mit Hilfe der Technologie der Mikrosystemtechnik für die Herstellung einer definierten Geometrie des Klebstoffs gefunden. In der Arbeit werden zwei Demonstratoren mit geraden und U-förmigen Silizium-DMS aufgebaut. Die Experimente werden im Nenndruckbereich und Überlastdruckbereich durchgeführt. |
Freie Schlagworte: | Differenzdruck, MEMS-Sensor, Silizium, piezoresistiv |
ID-Nummer: | EMK SA 1730 |
Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Elektromechanische Konstruktionen (aufgelöst 18.12.2018) 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mess- und Sensortechnik |
Hinterlegungsdatum: | 15 Apr 2011 10:36 |
Letzte Änderung: | 26 Aug 2018 21:26 |
PPN: | |
Referenten: | Werthschützky, Prof. Dr.- Roland ; Kober, Dipl.-Ing. Timo |
Datum der mündlichen Prüfung / Verteidigung / mdl. Prüfung: | 5 Mai 2010 |
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