Schidleja, Martin (2010)
Ladungsträgerinjektion in ambipolare, leuchtende Feldeffekttransistoren.
Technische Universität Darmstadt
Dissertation, Erstveröffentlichung
Kurzbeschreibung (Abstract)
Der organische lichtemittierende Transistor (OLEFET) ist ein neues Bauteil der organischen Elektronik, das grundsätzlich das Leuchten der organischen Leuchtdiode (OLED) mit der Geometrie und den Schalteigenschaften des organischen Feldeffekttransistors (OFET) kombiniert. In dieser Arbeit werden ambipolare OLEFETs basierend auf verschiedenen organischen Halbleitern realisiert und bezüglich ihrer Bauteileigenschaften untersucht. Der Schwerpunkt ist hierbei auf die Charakterisierung der Injektionseigenschaften von Elektronen und Löchern in den Halbleiter gelegt. In Bauteilen, bei denen analog zum klassischen Transistoraufbau das gleiche Metall für Source und Drain verwendet wird, zeigt sich ein signifikanter Einfluss der Ladungsträgerinjektion auf das gesamte Bauteilverhalten. Diese kontaktlimitierten Bauteile werden im Rahmen eines Transistormodells analysiert, in dem die nichtlinearen Widerstände für die Ladungsträgerinjektion berücksichtigt sind. In anderen Bauteilen ist das Konzept der OLED auf den OLEFET übertragen, indem unterschiedliche Metalle für die Kontakte verwendet werden, um die Injektion beider Ladungsträgersorten zu optimieren. Der Ladungstransport in diesen Bauteilen ist hauptsächlich durch die Eigenschaften des Transistorkanals bestimmt und wird bezüglich der Transportparameter und der zeitlichen Stabilität untersucht. Die Bauteile mit den angepassten Kontakten zeigen eine vollständig andere Lumineszenzcharakteristik als die kontaktlimitierten OLEFETs, insbesondere durch das Auftreten von Lumineszenz in den unipolaren Transportbereichen. Dieses Phänomen, das durch die Verhältnisse an der Metall/Organik-Grenzfläche bestimmt ist, wird im Hinblick auf den Informationsgehalt über die Kontaktbildung analysiert.
Typ des Eintrags: | Dissertation | ||||
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Erschienen: | 2010 | ||||
Autor(en): | Schidleja, Martin | ||||
Art des Eintrags: | Erstveröffentlichung | ||||
Titel: | Ladungsträgerinjektion in ambipolare, leuchtende Feldeffekttransistoren | ||||
Sprache: | Deutsch | ||||
Referenten: | von Seggern, Prof. Dr. Heinz ; Jaegermann, Prof. Dr. Wolfram | ||||
Publikationsjahr: | 24 Oktober 2010 | ||||
Datum der mündlichen Prüfung: | 29 September 2010 | ||||
URL / URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-23153 | ||||
Kurzbeschreibung (Abstract): | Der organische lichtemittierende Transistor (OLEFET) ist ein neues Bauteil der organischen Elektronik, das grundsätzlich das Leuchten der organischen Leuchtdiode (OLED) mit der Geometrie und den Schalteigenschaften des organischen Feldeffekttransistors (OFET) kombiniert. In dieser Arbeit werden ambipolare OLEFETs basierend auf verschiedenen organischen Halbleitern realisiert und bezüglich ihrer Bauteileigenschaften untersucht. Der Schwerpunkt ist hierbei auf die Charakterisierung der Injektionseigenschaften von Elektronen und Löchern in den Halbleiter gelegt. In Bauteilen, bei denen analog zum klassischen Transistoraufbau das gleiche Metall für Source und Drain verwendet wird, zeigt sich ein signifikanter Einfluss der Ladungsträgerinjektion auf das gesamte Bauteilverhalten. Diese kontaktlimitierten Bauteile werden im Rahmen eines Transistormodells analysiert, in dem die nichtlinearen Widerstände für die Ladungsträgerinjektion berücksichtigt sind. In anderen Bauteilen ist das Konzept der OLED auf den OLEFET übertragen, indem unterschiedliche Metalle für die Kontakte verwendet werden, um die Injektion beider Ladungsträgersorten zu optimieren. Der Ladungstransport in diesen Bauteilen ist hauptsächlich durch die Eigenschaften des Transistorkanals bestimmt und wird bezüglich der Transportparameter und der zeitlichen Stabilität untersucht. Die Bauteile mit den angepassten Kontakten zeigen eine vollständig andere Lumineszenzcharakteristik als die kontaktlimitierten OLEFETs, insbesondere durch das Auftreten von Lumineszenz in den unipolaren Transportbereichen. Dieses Phänomen, das durch die Verhältnisse an der Metall/Organik-Grenzfläche bestimmt ist, wird im Hinblick auf den Informationsgehalt über die Kontaktbildung analysiert. |
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Alternatives oder übersetztes Abstract: |
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Freie Schlagworte: | Feldeffekttransistor, ambipolar, Licht, Lichtemission, Kontakt, Ladungsträgerinjektion, Rekombinationszone | ||||
Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 500 Naturwissenschaften 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
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Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Elektronische Materialeigenschaften |
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Hinterlegungsdatum: | 09 Nov 2010 10:55 | ||||
Letzte Änderung: | 05 Mär 2013 09:41 | ||||
PPN: | |||||
Referenten: | von Seggern, Prof. Dr. Heinz ; Jaegermann, Prof. Dr. Wolfram | ||||
Datum der mündlichen Prüfung / Verteidigung / mdl. Prüfung: | 29 September 2010 | ||||
Export: | |||||
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