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Kathodenzerstäubte(Ba,Sr)TiO3-Dünnschichten für steuerbare Mikrowellenkomponenten Material-, Bauteil- und Grenzflächeneigenschaften

Schafranek, Robert (2009)
Kathodenzerstäubte(Ba,Sr)TiO3-Dünnschichten für steuerbare Mikrowellenkomponenten Material-, Bauteil- und Grenzflächeneigenschaften.
Technische Universität Darmstadt
Dissertation, Erstveröffentlichung

Kurzbeschreibung (Abstract)

In dieser Arbeit wurde der Einfluss der Präparationsbedingen auf die Zusammensetzung, Struktur und die elektronischen Eigenschaften von kathodenzerstäubten (Ba,Sr)TiO3 Dünnschichten untersucht und mit den Bauteileigenschaften von auf diesen Schichten aufbauenden Varaktoren in Metall/Isolator/Metall-Topographie in Zusammenhang gebracht. Des Weiteren wurden die bauteilrelevanten Kontakteigenschaften zwischen Dielektrikum und Metallisierung mittels in-situ Photoelektronenspektroskopie untersucht. Hierbei wurde eine starke Abhängigkeit der Schottky-Barrierenhöhe von der Grenzflächendefektkonzentration am Kontakt gefunden und die Defekte Sauerstoffleerstellen zugeordnet.

Typ des Eintrags: Dissertation
Erschienen: 2009
Autor(en): Schafranek, Robert
Art des Eintrags: Erstveröffentlichung
Titel: Kathodenzerstäubte(Ba,Sr)TiO3-Dünnschichten für steuerbare Mikrowellenkomponenten Material-, Bauteil- und Grenzflächeneigenschaften
Sprache: Deutsch
Referenten: Klein, APL Prof. Andreas ; Alff, Prof. Dr. Lambert
Publikationsjahr: 6 August 2009
Ort: Darmstadt
Verlag: Technische Universität
Datum der mündlichen Prüfung: 15 Mai 2009
URL / URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-18739
Kurzbeschreibung (Abstract):

In dieser Arbeit wurde der Einfluss der Präparationsbedingen auf die Zusammensetzung, Struktur und die elektronischen Eigenschaften von kathodenzerstäubten (Ba,Sr)TiO3 Dünnschichten untersucht und mit den Bauteileigenschaften von auf diesen Schichten aufbauenden Varaktoren in Metall/Isolator/Metall-Topographie in Zusammenhang gebracht. Des Weiteren wurden die bauteilrelevanten Kontakteigenschaften zwischen Dielektrikum und Metallisierung mittels in-situ Photoelektronenspektroskopie untersucht. Hierbei wurde eine starke Abhängigkeit der Schottky-Barrierenhöhe von der Grenzflächendefektkonzentration am Kontakt gefunden und die Defekte Sauerstoffleerstellen zugeordnet.

Alternatives oder übersetztes Abstract:
Alternatives AbstractSprache

In this work the influence of the deposition conditions on the composition, structure and electronic properties of sputter deposited (Ba,Sr)TiO3 thin films was investigated and brought in conjunction with the device properties of varactors based on these thin films in metal/insulator/metal topography. Furthermore the device relevant contact properties between insulator and electrode material were studied by meens of in-situ photoelectron spectroscopy. A strong dependence of the Schottky barrier height on the interface defect concentration was found and these defects could be identified as Oxygen vacancies.

Englisch
Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 500 Naturwissenschaften
500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
Hinterlegungsdatum: 09 Sep 2009 07:34
Letzte Änderung: 05 Mär 2013 09:28
PPN:
Referenten: Klein, APL Prof. Andreas ; Alff, Prof. Dr. Lambert
Datum der mündlichen Prüfung / Verteidigung / mdl. Prüfung: 15 Mai 2009
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