Rückkontaktbildung von CdTe-Solarzellen

Späth, Bettina (2007)
Rückkontaktbildung von CdTe-Solarzellen.
Technische Universität Darmstadt
Dissertation, Erstveröffentlichung

URL / URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-9105

Kurzbeschreibung (Abstract)

In dieser Arbeit wurden die chemischen, elektrochemischen, strukturellen und elektronischen Eigenschaften verschiedener Rückkontaktzwischenschichten wie Cu(2-x)Te, ZnTe und Sb2Te3 für die CdTe-Dünnschichtsolarzelle untersucht. Mittels der Photoelektronenspektroskopie wurden die Bandanpassung der Materialien zu CdTe bestimmt. Weiterhin wurden CdTe-Solarzellen mit unterschiedlichen Rückkontakten hergestellt und die Strom-Spannungs-Kennlinienen aufgenommen. Durch die Untersuchung kupferhaltiger Rückkontakte konnte gezeigt werden, dass elementares Cd an der Grenzfläche für das Pinning des Ferminiveaus in CdTe verantwortlich gemacht werden kann. Die besten Solarzellen (Wirkungsgrad 9%) wurden mit einem Sb2Te3 Rückkontakt hergestellt. Bei der Verwendung von Sb2Te3 konnte teilweise auf den nasschemischen Ätzschritt bei der Präparation verzichtet werden. Mit einer Plasmaquelle wurden hochdotierte ZnTe:N-Schichten (spez. Widerstand: 0,04Ohmcm) hergestellt. Mit Hilfe dieser Schichten wurden Solarzellen mit einem Wirkungsgrad von 8% ebenfalls ohne nasschemischen Ätzschritt präpariert. An der CdTe/ZnTe-Grenzfläche wurde ein minimaler Valenzbandoffset von 0,05eV ermittelt.

Typ des Eintrags:

Dissertation

Erschienen:

2007

Autor(en):

Späth, Bettina

Art des Eintrags:

Erstveröffentlichung

Titel:

Rückkontaktbildung von CdTe-Solarzellen

Sprache:

Deutsch

Referenten:

Jaegermann, Prof. Dr. Wolfram ; von Seggern, Prof. Dr. Heinz

Berater:

Klein, Privatdoze Andreas ; Fritsche, Dr. Jochen

Publikationsjahr:

19 Dezember 2007

Ort:

Darmstadt

Verlag:

Technische Universität

Datum der mündlichen Prüfung:

13 Juli 2007

URL / URN:

urn:nbn:de:tuda-tuprints-9105

Kurzbeschreibung (Abstract):

Alternatives oder übersetztes Abstract:

Alternatives Abstract

Sprache

In this study the chemical, electrochemical, structural and electronic properties of different back contact materials (Cu(2-x)Te, ZnTe, Sb2Te3) were investigated. Using x-ray photoelectron spectroscopy the band alignment of these materials to CdTe was determined. The current-voltage behavior of CdTe-Solarcells with different back contact materials was measured. It was shown that the formation of elementary Cd at the CdTe-Interface is responsible for pinning of the fermi-level in CdTe. CdTe-solarcells with an efficiency of 9% with a Sb2Te3- and 8% with a ZnTe-back contact were prepared without a chemical etching step. By doping with a nitrogen plasma source highly doped ZnTe:N layers were formed (resistivity: 0.04Ohmcm). According to former investigations a valanceband offset of 0.05eV was found at the CdTe/ZnTe interface.

Englisch

Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC):

500 Naturwissenschaften und Mathematik > 550 Geowissenschaften

Fachbereich(e)/-gebiet(e):

11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften

Hinterlegungsdatum:

17 Okt 2008 09:22

Letzte Änderung:

26 Aug 2018 21:25

PPN:

Referenten:

Jaegermann, Prof. Dr. Wolfram ; von Seggern, Prof. Dr. Heinz