Einfluss der Dotierung organischer Halbleiter auf den Feldeffekt

Ahles, Marcus (2006)
Einfluss der Dotierung organischer Halbleiter auf den Feldeffekt.
Technische Universität Darmstadt
Dissertation, Erstveröffentlichung

URL / URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-6603

Kurzbeschreibung (Abstract)

Gegenstand dieser Arbeit ist die Realisierung einer integrierten komplementären Schaltung auf Basis des organischen Halbleiters Pentacen. Hierzu werden organische Feldeffekttransistoren (OFETs) als elementare Schaltelemente zum Einsatz gebracht, wobei sowohl OFETs, die im Elektronenakkumulationsmodus, als auch OFETs, die im Löcherakkumulationsmodus arbeiten, benötigt werden. Für die Integration einer derartigen Schaltung sind vergleichbare Transporteigenschaften von Elektronen und Löchern innerhalb eines Halbleitermaterials von entscheidendem Vorteil. Um diese Zielsetzung zu erreichen, ist es notwendig, ein grundlegendes Verständnis des Feldeffekts in organischen Halbleitern zu erhalten und auf prinzipielle Unterschiede zwischen organischen und anorganischen Halbleitern einzugehen. Insbesondere wird in diesem Zusammenhang der Einfluss der Dotierung von organischen Halbleitern auf die elektrischen Eigenschaften von OFETs studiert.

Typ des Eintrags:

Dissertation

Erschienen:

2006

Autor(en):

Ahles, Marcus

Art des Eintrags:

Erstveröffentlichung

Titel:

Einfluss der Dotierung organischer Halbleiter auf den Feldeffekt

Sprache:

Deutsch

Referenten:

von Seggern, Prof. Dr.- Heinz ; Rehahn, Prof. Dr. Matthias

Berater:

von Seggern, Prof. Dr.- Heinz

Publikationsjahr:

22 Februar 2006

Ort:

Darmstadt

Verlag:

Technische Universität

Datum der mündlichen Prüfung:

26 Januar 2006

URL / URN:

urn:nbn:de:tuda-tuprints-6603

Kurzbeschreibung (Abstract):

Alternatives oder übersetztes Abstract:

Alternatives Abstract

Sprache

In this work the realization of an integrated complementary circuit based on pentacene as organic semiconductor is presented. Therefore organic field-effect transistors (OFETs) as basic constituents are employed. Both OFETs working in electron enhancement mode and OFETs working in hole enhancement mode are required. For integration of such a complementary circuit similar transport properties of electrons and holes in one organic semi-conducting material are advantageous. To achieve this aim an understanding of the underlying field-effect is required and fundamental differences between organic and inorganic semiconductors have to be taken in account. In this context the influence of doping of the organic semiconductor on the electrical properties of OFETs will be studied in particular.

Englisch

Fachbereich(e)/-gebiet(e):

11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften

Hinterlegungsdatum:

17 Okt 2008 09:22

Letzte Änderung:

26 Aug 2018 21:25

PPN:

Referenten:

von Seggern, Prof. Dr.- Heinz ; Rehahn, Prof. Dr. Matthias

Datum der mündlichen Prüfung / Verteidigung / mdl. Prüfung:

26 Januar 2006