Van der Waals-terminierte Silizium (111) Oberflächen und Grenzflächen

Fritsche, Rainer (2005)
Van der Waals-terminierte Silizium (111) Oberflächen und Grenzflächen.
Technische Universität Darmstadt
Dissertation, Erstveröffentlichung

URL / URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-5973

Kurzbeschreibung (Abstract)

Das Ziel dieser Arbeit ist die Umsetzung des Konzeptes der Quasi-van der Waals-Epitaxie als eine neue Perspektive zur Integration reaktiver und gitterfehlangepasster Materialien in die Silizium-Technologie. Die experimentelle Charakterisierung dieses Ansatzes erfolgt in zwei aufeinander aufbauenden Abschnitten. Zunächst wird die chemische und elektronische Passivierung eines dreidimensionalen Substrates (Silizium) mittels einer ultra-dünnen Pufferschicht aus der Materialklasse der Schichtgitter-Chalkogenide (GaSe) untersucht. Die auf diese Weise modiﬁzierte Substrat-Oberﬂäche (Si(111):GaSe) besitzt eine inerte van der Waals-Oberﬂäche und dient im Folgenden als Basis für die Abscheidung der gegenüber dem nicht passivierten Substrat eigentlich reaktiven und gitterfehlangepassten Materialien (verschiedenen II-VI-Verbindungshalbleitern und Metallen). Die Charakterisierung der elektronischen und chemischen Eigenschaften der Oberﬂächen und Grenzﬂächen erfolgt mit hochaufgelöster Photoelektronenspektroskopie (SXPS). Diese Ergebnisse werden durch die Charakterisierung der Morphologie mit der Beugung niederenergetischer Elektronen (LEED) und der Rastertunnelmikroskopie (STM) ergänzt. (Die Arbeit ist urheberrechtlich geschützt und veröffentlicht von: Mensch & Buch Verlag, Nordendstr. 75, 13156 Berlin; Dissertation, Technische Universität Darmstadt, 2004; ISBN 3–89820–789–6)

Typ des Eintrags:

Dissertation

Erschienen:

2005

Autor(en):

Fritsche, Rainer

Art des Eintrags:

Erstveröffentlichung

Titel:

Van der Waals-terminierte Silizium (111) Oberflächen und Grenzflächen

Sprache:

Deutsch

Referenten:

Jaegermann, Prof.Dr. Wolfram ; von Seggern, Prof.Dr. Heinz

Berater:

Jaegermann, Prof.Dr. Wolfram

Publikationsjahr:

23 August 2005

Ort:

Darmstadt

Verlag:

Technische Universität

Datum der mündlichen Prüfung:

22 Oktober 2004

URL / URN:

urn:nbn:de:tuda-tuprints-5973

Kurzbeschreibung (Abstract):

Alternatives oder übersetztes Abstract:

Alternatives Abstract

Sprache

The aim of this work is implementing the concept of quasi-van der Waals-epitaxy as a new perspective to integrate reactive and lattice mismatched systems into silicon technology. The experimental characterization of this approach is carried out by the use of two sequenced sections. First, the chemical an electrical passivation of a three-dimensional substrate (silicon) via an ultra-thin buffer-layer from the class of the layered chalcogenides (GaSe) is investigated. The in this way modified substrate surface (Si(111):GaSe) provides a inert van der Waals-surface and serves as the base for the following deposition of normally against the clean silicon substrate reactive and lattice mismatched materials (different II-VI-semiconductors and metals). The characterization of the surface and interface electronic and chemical properties takes place by high resolution photoelectron spectroscopy (SXPS). Additionally, the morphology is characterized using low energy electron diffraction (LEED) and scanning electron microscopy (STM). (This work is copyrighted and published by: Mensch & Buch Verlag, Nordendstr. 75, 13156 Berlin; Dissertation, Technische Universität Darmstadt, 2004; ISBN 3–89820–789–6)

Englisch

Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC):

500 Naturwissenschaften und Mathematik > 550 Geowissenschaften

Fachbereich(e)/-gebiet(e):

11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften

Hinterlegungsdatum:

17 Okt 2008 09:22

Letzte Änderung:

05 Mär 2013 09:26

PPN:

Referenten:

Jaegermann, Prof.Dr. Wolfram ; von Seggern, Prof.Dr. Heinz