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High base current ideality factors due to trap-assisted band-to-band tunneling in AlGaAs/GaAs HBTs

Borgarino, Mattia ; Menozzi, R. ; Fantini, Fausto ; Schüssler, M. ; Hartnagel, H. L. (1995)
High base current ideality factors due to trap-assisted band-to-band tunneling in AlGaAs/GaAs HBTs.
In: Alta frequenza, 7
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1995
Autor(en): Borgarino, Mattia ; Menozzi, R. ; Fantini, Fausto ; Schüssler, M. ; Hartnagel, H. L.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: High base current ideality factors due to trap-assisted band-to-band tunneling in AlGaAs/GaAs HBTs
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 1995
Ort: Milano
Verlag: AEI
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Alta frequenza
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 7
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 15:58
Letzte Änderung: 16 Jul 2024 09:51
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