TU Darmstadt / ULB / TUbiblio

New MBE fabricated structure for tunneling spectroscopy of 2d electron system in GaAs with near-to-surface delta-layer

Kazakov, I. P. ; Kotelnikov, I. N. ; Fedorov, Yu. V. ; Bugaev, A. S. ; Glazyrin, E. V. ; Feiginov, Michael N. :
New MBE fabricated structure for tunneling spectroscopy of 2d electron system in GaAs with near-to-surface delta-layer.
In: Proceedings of 15th International Symposium "Nanostructure: Physics and Technology", Novosibirsk, Russia, June 2007.- S. 340-341 .
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (2007)

Typ des Eintrags: Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Keine Angabe)
Erschienen: 2007
Autor(en): Kazakov, I. P. ; Kotelnikov, I. N. ; Fedorov, Yu. V. ; Bugaev, A. S. ; Glazyrin, E. V. ; Feiginov, Michael N.
Titel: New MBE fabricated structure for tunneling spectroscopy of 2d electron system in GaAs with near-to-surface delta-layer
Sprache: Englisch
Reihe: Proceedings of 15th International Symposium "Nanostructure: Physics and Technology", Novosibirsk, Russia, June 2007.- S. 340-341
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:25
Export:

Optionen (nur für Redakteure)

Eintrag anzeigen Eintrag anzeigen