Neumann, Frederik ; Genenko, Yuri A. ; Melzer, Christian ; Seggern, Heinz von (2006)
Self-consistent theory of unipolar charge-carrier injection in metal/insulator/metal systems.
In: Journal of Applied Physics, 100
Artikel, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
A consistent device model to describe current-voltage characteristics of metal∕insulator∕metal systems is developed. In this model the insulator and the metal electrodes are described within the same theoretical framework using density of states distributions. This approach leads to differential equations for the electric field which have to be solved in a self-consistent manner by considering the continuity of the electric displacement and the electrochemical potential in the complete system. The model is capable of describing the current-voltage characteristics of the metal∕insulator∕metal system in forward and reverse biases for arbitrary values of the metal∕insulator injection barriers. In the case of high injection barriers, approximations are provided offering a tool for comparison with experiments. Numerical calculations are performed exemplarily using a simplified model of an organic semiconductor.
Typ des Eintrags: | Artikel |
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Erschienen: | 2006 |
Autor(en): | Neumann, Frederik ; Genenko, Yuri A. ; Melzer, Christian ; Seggern, Heinz von |
Art des Eintrags: | Bibliographie |
Titel: | Self-consistent theory of unipolar charge-carrier injection in metal/insulator/metal systems |
Sprache: | Englisch |
Publikationsjahr: | 1 Oktober 2006 |
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of Applied Physics |
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 100 |
Kurzbeschreibung (Abstract): | A consistent device model to describe current-voltage characteristics of metal∕insulator∕metal systems is developed. In this model the insulator and the metal electrodes are described within the same theoretical framework using density of states distributions. This approach leads to differential equations for the electric field which have to be solved in a self-consistent manner by considering the continuity of the electric displacement and the electrochemical potential in the complete system. The model is capable of describing the current-voltage characteristics of the metal∕insulator∕metal system in forward and reverse biases for arbitrary values of the metal∕insulator injection barriers. In the case of high injection barriers, approximations are provided offering a tool for comparison with experiments. Numerical calculations are performed exemplarily using a simplified model of an organic semiconductor. |
Freie Schlagworte: | MIS devices, organic semiconductors, charge injection, semiconductor device models, electronic density of states, differential equations |
Zusätzliche Informationen: | SFB 595 Cooperation C5, D4 |
Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche Zentrale Einrichtungen DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung > Teilprojekt C5: Phänomenologische Modellierung von Injektion, Transport und Rekombination in Bauelementen aus organischen Halbleitern sowie aus nichtorganischen Ferroelektrika DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften > Teilprojekt D4: Betriebsbedingte Ermüdung von Bauelementen aus organischen Halbleitern |
Hinterlegungsdatum: | 20 Nov 2008 08:25 |
Letzte Änderung: | 20 Feb 2020 13:23 |
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