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Self-consistent theory of unipolar charge-carrier injection in metal/insulator/metal systems

Neumann, Frederik ; Genenko, Yuri A. ; Melzer, Christian ; Seggern, Heinz von (2006)
Self-consistent theory of unipolar charge-carrier injection in metal/insulator/metal systems.
In: Journal of Applied Physics, 100
Artikel, Bibliographie

Kurzbeschreibung (Abstract)

A consistent device model to describe current-voltage characteristics of metal∕insulator∕metal systems is developed. In this model the insulator and the metal electrodes are described within the same theoretical framework using density of states distributions. This approach leads to differential equations for the electric field which have to be solved in a self-consistent manner by considering the continuity of the electric displacement and the electrochemical potential in the complete system. The model is capable of describing the current-voltage characteristics of the metal∕insulator∕metal system in forward and reverse biases for arbitrary values of the metal∕insulator injection barriers. In the case of high injection barriers, approximations are provided offering a tool for comparison with experiments. Numerical calculations are performed exemplarily using a simplified model of an organic semiconductor.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2006
Autor(en): Neumann, Frederik ; Genenko, Yuri A. ; Melzer, Christian ; Seggern, Heinz von
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Self-consistent theory of unipolar charge-carrier injection in metal/insulator/metal systems
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 1 Oktober 2006
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of Applied Physics
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 100
Kurzbeschreibung (Abstract):

A consistent device model to describe current-voltage characteristics of metal∕insulator∕metal systems is developed. In this model the insulator and the metal electrodes are described within the same theoretical framework using density of states distributions. This approach leads to differential equations for the electric field which have to be solved in a self-consistent manner by considering the continuity of the electric displacement and the electrochemical potential in the complete system. The model is capable of describing the current-voltage characteristics of the metal∕insulator∕metal system in forward and reverse biases for arbitrary values of the metal∕insulator injection barriers. In the case of high injection barriers, approximations are provided offering a tool for comparison with experiments. Numerical calculations are performed exemplarily using a simplified model of an organic semiconductor.

Freie Schlagworte: MIS devices, organic semiconductors, charge injection, semiconductor device models, electronic density of states, differential equations
Zusätzliche Informationen:

SFB 595 Cooperation C5, D4

Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio)
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche
Zentrale Einrichtungen
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung > Teilprojekt C5: Phänomenologische Modellierung von Injektion, Transport und Rekombination in Bauelementen aus organischen Halbleitern sowie aus nichtorganischen Ferroelektrika
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften > Teilprojekt D4: Betriebsbedingte Ermüdung von Bauelementen aus organischen Halbleitern
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:25
Letzte Änderung: 20 Feb 2020 13:23
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