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Non-stoichiometric growth and precipitation formation in LTG-GaAsSb for THzapplications

Sigmund, J. ; Sydlo, C. ; Hartnagel, H. L. ; Teissmann, R. ; Benker, N. ; Fuess, Hartmut ; Rutz, F. ; Koch, M. (2005)
Non-stoichiometric growth and precipitation formation in LTG-GaAsSb for THzapplications.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 2005
Autor(en): Sigmund, J. ; Sydlo, C. ; Hartnagel, H. L. ; Teissmann, R. ; Benker, N. ; Fuess, Hartmut ; Rutz, F. ; Koch, M.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Non-stoichiometric growth and precipitation formation in LTG-GaAsSb for THzapplications
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 2005
Ort: New York, NY
Verlag: American Inst. of Physics
Reihe: Papers from the 23rd North American Conference on Molecular Beam Epitaxy : [held at the University of California at Santa Barbara from 11 - 14 September 2005] / [Gerry Sullivan, proceedings ed.]. - New York, NY : American Inst. of Physics, 2006; S. 153
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:24
Letzte Änderung: 14 Feb 2019 10:47
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