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Non-stoichiometric growth and precipitation formation in LTG-GaAsSb for THzapplications

Sigmund, J. ; Sydlo, C. ; Hartnagel, H. L. ; Teissmann, R. ; Benker, N. ; Fuess, Hartmut ; Rutz, F. ; Koch, M. :
Non-stoichiometric growth and precipitation formation in LTG-GaAsSb for THzapplications.
In: Papers from the 23rd North American Conference on Molecular Beam Epitaxy : [held at the University of California at Santa Barbara from 11 - 14 September 2005] / [Gerry Sullivan, proceedings ed.]. - New York, NY : American Inst. of Physics, 2006; S. 153 . American Inst. of Physics , New York, NY
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (2005)

Typ des Eintrags: Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Keine Angabe)
Erschienen: 2005
Autor(en): Sigmund, J. ; Sydlo, C. ; Hartnagel, H. L. ; Teissmann, R. ; Benker, N. ; Fuess, Hartmut ; Rutz, F. ; Koch, M.
Titel: Non-stoichiometric growth and precipitation formation in LTG-GaAsSb for THzapplications
Sprache: Englisch
Reihe: Papers from the 23rd North American Conference on Molecular Beam Epitaxy : [held at the University of California at Santa Barbara from 11 - 14 September 2005] / [Gerry Sullivan, proceedings ed.]. - New York, NY : American Inst. of Physics, 2006; S. 153
Ort: New York, NY
Verlag: American Inst. of Physics
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:24
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