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Raman and electrical characterisation of n-InP implanted by 630-keV nitrogen

Tiginyanu, I. ; Miao, ; Hartnagel, Hans L. ; Rück, ; Tinschert, ; Ursaki, ; Ichizli, Victoria M. (1996)
Raman and electrical characterisation of n-InP implanted by 630-keV nitrogen.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 1996
Autor(en): Tiginyanu, I. ; Miao, ; Hartnagel, Hans L. ; Rück, ; Tinschert, ; Ursaki, ; Ichizli, Victoria M.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Raman and electrical characterisation of n-InP implanted by 630-keV nitrogen
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 1996
Reihe: International Conference on Indium Phosphide and Related Materials <8, 1996, Schwäbisch Gmünd>: Proceedings
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:30
Letzte Änderung: 14 Feb 2019 10:48
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