Goldhorn, Andreas (1996)
Technologie und Charakterisierung von PIN-Diode und Heterostruktur-Bipolartransistoren im Materialsystem InP-InGaAs für die Integration optischer Empfänger.
Technische Universität Darmstadt
Dissertation, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Dissertation |
|---|---|
| Erschienen: | 1996 |
| Autor(en): | Goldhorn, Andreas |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Technologie und Charakterisierung von PIN-Diode und Heterostruktur-Bipolartransistoren im Materialsystem InP-InGaAs für die Integration optischer Empfänger |
| Sprache: | Deutsch |
| Publikationsjahr: | 1996 |
| Ort: | Darmstadt |
| Verlag: | Technische Univ. Darmstadt |
| Kollation: | XIV,96 S. |
| Auflage: | Darmstadt: 1996. XIV,96 S. |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik |
| Hinterlegungsdatum: | 19 Nov 2008 15:56 |
| Letzte Änderung: | 05 Mär 2013 08:30 |
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