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Ohm-Kontakte für die Basis von InP-In 0.53 Ga 0.47 As-Hetero-Bipolartransistoren in der Optoelektronik

Ressel, Peter :
Ohm-Kontakte für die Basis von InP-In 0.53 Ga 0.47 As-Hetero-Bipolartransistoren in der Optoelektronik.
Shaker , Aachen
[Dissertation]

Typ des Eintrags: Dissertation
Erschienen: 1999
Autor(en): Ressel, Peter
Titel: Ohm-Kontakte für die Basis von InP-In 0.53 Ga 0.47 As-Hetero-Bipolartransistoren in der Optoelektronik
Sprache: Deutsch
Ort: Aachen
Verlag: Shaker
Edition: Aachen: Shaker, 1999. III, 108 S
Kollation: III, 108 S.
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 15:56
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