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Ohm-Kontakte für die Basis von InP-In 0.53 Ga 0.47 As-Hetero-Bipolartransistoren in der Optoelektronik

Ressel, Peter (1999):
Ohm-Kontakte für die Basis von InP-In 0.53 Ga 0.47 As-Hetero-Bipolartransistoren in der Optoelektronik.
Aachen: Shaker, 1999. III, 108 S,
Aachen, Shaker, TU Darmstadt, [Ph.D. Thesis]

Item Type: Ph.D. Thesis
Erschienen: 1999
Creators: Ressel, Peter
Title: Ohm-Kontakte für die Basis von InP-In 0.53 Ga 0.47 As-Hetero-Bipolartransistoren in der Optoelektronik
Language: German
Place of Publication: Aachen
Publisher: Shaker
Edition: Aachen: Shaker, 1999. III, 108 S
Collation: III, 108 S.
Divisions: 18 Department of Electrical Engineering and Information Technology
Date Deposited: 19 Nov 2008 15:56
License: [undefiniert]
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