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Ohm-Kontakte für die Basis von InP-In 0.53 Ga 0.47 As-Hetero-Bipolartransistoren in der Optoelektronik

Ressel, Peter (1999)
Ohm-Kontakte für die Basis von InP-In 0.53 Ga 0.47 As-Hetero-Bipolartransistoren in der Optoelektronik.
Technische Universität Darmstadt
Dissertation, Bibliographie

Typ des Eintrags: Dissertation
Erschienen: 1999
Autor(en): Ressel, Peter
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Ohm-Kontakte für die Basis von InP-In 0.53 Ga 0.47 As-Hetero-Bipolartransistoren in der Optoelektronik
Sprache: Deutsch
Publikationsjahr: 1999
Ort: Aachen
Verlag: Shaker
Kollation: III, 108 S.
Auflage: Aachen: Shaker, 1999. III, 108 S
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 15:56
Letzte Änderung: 05 Mär 2013 08:30
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