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High‐Pressure Synthesis of Amorphous Si₃N₄ and SiBN‐Based Monoliths without Sintering Additives

Li, Wei ; Ma, Shuailing ; Cui, Siwen ; Ding, Jingxue ; Widenmeyer, Marc ; Zhang, Xiaoqing ; Zhan, Ying ; Yu, Zhaoju ; Cheng, Jiarong ; Zhu, Pinwen ; Cui, Tian ; Weidenkaff, Anke ; Riedel, Ralf (2024)
High‐Pressure Synthesis of Amorphous Si₃N₄ and SiBN‐Based Monoliths without Sintering Additives.
In: Advanced Engineering Materials, 2024, 26 (16)
doi: 10.26083/tuprints-00028284
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion

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Kurzbeschreibung (Abstract)

Amorphous Si₃N₄ and SiBN monoliths without sintering additives are successfully prepared by high‐pressure–low‐temperature (HPLT) sintering using the single‐source‐precursor‐derived amorphous Si3N4 and SiBN powders as raw materials. The microstructural evolution and crystallization behavior of the as‐prepared samples are investigated using scanning electron and transmission electron microscopy and X‐ray powder diffraction, respectively. The results show that the incorporation of boron in the Si–N network enhances the crystallization temperature up to 1200 °C. The Vickers’ hardness of the HPLT‐sintered Si₃N₄ sample amounts ≈11.6 GPa whether prepared at 1000 or 1200 °C, while the maximum hardness of the SiBN sample is up to 16.3 GPa. The fracture toughness of amorphous Si3N4 and SiBN5 samples is almost identical (around 2.5 MPa m¹/²) whether prepared at 1000 or 1200 °C, and SiBN₂ and SiBN₅ samples show an improved fracture toughness. In addition, the oxidation resistance of the as‐prepared samples is investigated at temperatures up to 1000 °C. A comparison between amorphous Si₃N₄ and SiBN monoliths demonstrates a positive effect of the presence of boron on their oxidation resistance.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2024
Autor(en): Li, Wei ; Ma, Shuailing ; Cui, Siwen ; Ding, Jingxue ; Widenmeyer, Marc ; Zhang, Xiaoqing ; Zhan, Ying ; Yu, Zhaoju ; Cheng, Jiarong ; Zhu, Pinwen ; Cui, Tian ; Weidenkaff, Anke ; Riedel, Ralf
Art des Eintrags: Zweitveröffentlichung
Titel: High‐Pressure Synthesis of Amorphous Si₃N₄ and SiBN‐Based Monoliths without Sintering Additives
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 18 November 2024
Ort: Darmstadt
Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: August 2024
Ort der Erstveröffentlichung: Weinheim
Verlag: Wiley-VCH
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Advanced Engineering Materials
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 26
(Heft-)Nummer: 16
Kollation: 9 Seiten
DOI: 10.26083/tuprints-00028284
URL / URN: https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/28284
Zugehörige Links:
Herkunft: Zweitveröffentlichung DeepGreen
Kurzbeschreibung (Abstract):

Amorphous Si₃N₄ and SiBN monoliths without sintering additives are successfully prepared by high‐pressure–low‐temperature (HPLT) sintering using the single‐source‐precursor‐derived amorphous Si3N4 and SiBN powders as raw materials. The microstructural evolution and crystallization behavior of the as‐prepared samples are investigated using scanning electron and transmission electron microscopy and X‐ray powder diffraction, respectively. The results show that the incorporation of boron in the Si–N network enhances the crystallization temperature up to 1200 °C. The Vickers’ hardness of the HPLT‐sintered Si₃N₄ sample amounts ≈11.6 GPa whether prepared at 1000 or 1200 °C, while the maximum hardness of the SiBN sample is up to 16.3 GPa. The fracture toughness of amorphous Si3N4 and SiBN5 samples is almost identical (around 2.5 MPa m¹/²) whether prepared at 1000 or 1200 °C, and SiBN₂ and SiBN₅ samples show an improved fracture toughness. In addition, the oxidation resistance of the as‐prepared samples is investigated at temperatures up to 1000 °C. A comparison between amorphous Si₃N₄ and SiBN monoliths demonstrates a positive effect of the presence of boron on their oxidation resistance.

Freie Schlagworte: amorphous monoliths, hardness, high‐pressure synthesis, oxidation resistance
ID-Nummer: Artikel-ID: 2400677
Status: Verlagsversion
URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-282848
Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie
600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 660 Technische Chemie
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Disperse Feststoffe
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Werkstofftechnik und Ressourcenmanagement
Hinterlegungsdatum: 18 Nov 2024 12:09
Letzte Änderung: 19 Nov 2024 06:49
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