Antiferroelektrische Materialien bieten eine verlockende Aussicht auf die Verbesserung moderner Kondensatoren durch die Einführung neuer Funktionalitäten und Erhöhung der Energiedichte. Obwohl bereits erste Schritte in Richtung Kommerzialisierung unternommen wurden, wird der Fortschritt durch ein begrenztes Verständnis des antiferroelektrischen Effekts und einen Mangel an Materialien, die diese einzigartige Eigenschaft aufweisen, behindert. In dieser Studie werden antiferroelektrische Perowskite als epitaktische Dünnschichten synthetisiert, um den Einfluss von Verspannungen auf das Gleichgewicht der antiferroelektrischen und ferroelektrischen Phasen zu untersuchen. Dünne Schichten aus zwei antiferroelektrischen Materialien, NaNbO₃ und AgNbO₃, werden durch gepulste Laserabscheidung hergestellt. Ähnlich zur Festkörpersynthese treten Probleme bei der Stöchiometrie des Kationenverhältnisses während des Wachstums der Dünnschicht auf. Diese Herausforderung kann überwunden werden, indem die Wachstumsparameter für NaNbO₃ angepasst werden, während Silbermangel in AgNbO₃ Schichten durch die Bereitstellung einer Silberreserve augeglichen wird. Diese liefert Silberionen um den nicht stöchiometrischen Transfer während des gepulsten Laserablationsprozesses zu korrigieren. Das erfolgreiche Wachstum hochwertiger dünner Schichten wird anschließend auf verschiedene Substrate ausgedehnt, wobei sowohl Druck- als auch Zugspannungen in die dünnen Schichten eingebracht werden. So kann die Ausbildung des Grundzustands für beide Materialien untersucht werden und der Stabilitätsbereich der antiferroelektrischen Phase in Abhängigkeit der eingebrachten Verspannung bestimmt werden. Für beide Materialien wird das Vorhandensein eines antipolaren Grundzustands, der der antiferroelektrischen Struktur der Materialen als Keramik ähnelt, in Schichten beobachtet, die unter Druckbelastung gewachsen werden. Schichten unter Zugbelastung weisen im Gegensatz dazu nicht die erwartete strukturelle Symmetrie auf, die für antiferroelektrische Materialien charakteristisch ist. Um die Stabilität dieser antiferroelektrischen Phase zu bewerten wird eine elektrische Charakterisierung in einer Kondensatorstruktur durchgeführt. Interessanterweise ähnelt das dielektrische Verhalten der NaNbO₃ Dünnschichten jedoch eher einem ferroelektrischen als einem antiferroelektrischen Material, obwohl der antipolare Grundzustand in den unter Druckbelastung gewachsenen Dünnschichten beibehalten wird. Dies zeigt, dass keine zusätzliche Stabilisierung des antiferroelektrischen Zustands aufgrund der induzierten Verspannung zu beobachten ist. Nichtsdestotrotz steigt die Sättigungspolarisation der dünnen Schichten durch die Druckbelastung auf mehr als 200%, was eine erhebliche Steigerung der Energiedichte für antiferroelektrische Kondensatoren verspricht. Zusammenfassend lässt sich sagen, dass diese Forschungsarbeit das Potenzial von Verspannung zur Verbesserung antiferroelektrischer Kondensatoren aufzeigt. Dünnschichten, die unter Druckbelastung gewachsen werden, behalten den antipolaren Grundzustand des Materials bei, wobei die Sättigungspolarisation der ferroelektrischen Phase erheblich verbessert wird. Durch die Kombination dieser Forschung mit dem eingehend untersuchten Dotierungsansatz zur weiteren Stabilisierung der antiferroelektrischen Phase wird eine wesentliche Verbesserung der Energiedichte antiferroelektrischer Kondensatoren erwartet.