Diese Doktorarbeit kann im Grunde in vier Hauptkategorien unterteilt werden: i) Eine Einleitung, die sowohl einen Überblick über die physikalischen und materialspezifischen Grundlagen als auch über die angewandte Methodik dieser Arbeit verschafft. ii) Die Charakterisierung der physikalischen Eigenschaften an Grenzflächen, die es ermöglicht Struktur-Eigenschafts- beziehungen herzuleiten. iii) Die Kontrolle über die atomare Schärfe von Grenzflächen, welche unabdingbar für die Realisierung von Komplexoxidtechnologien für Bereiche der Spintronik und der Elektronik sind. iiii) Das Design und die Entwicklung einer neuen Art von Grenzfläche, die komplett neue Eigenschaften der Materialien nach sich zieht. Die zugrunde liegende Idee dieser Doktorarbeit war es, die Grenzflächen von Oxidübergitter mittels fortgeschrittener Rastertransmissionselektronenmikroskopie mit atomarer Genauigkeit zu analysieren. Im ersten Teil dieser Arbeit liegt der Fokus auf der Vermischung von La und Sr Atomen, die zu Supraleitung an der Grenzfläche von zwei nicht supraleitenden Materialien führt. Weiterhin wurde die Entwicklung der elektronischen Struktur von einem antiferromagnetischen Isolator über einen Supraleiter bis hin zu einem Metall mit atomarer Auflösung untersucht. Das Ergebnis dieses Kapitels stellt eine neue Methode zur Unterscheidung von spezifischen Quantenzuständen wie isolatorische, metallische und supraleitende Materialien da. Für diese Unterscheidung ist es notwendig die Verteilung von Löchern, Sr-Atomen und Sauerstofffehlstellen zeitgleich im Subnanometerbereich zu detektieren. Im zweiten Teil der Arbeit wird auf die Kontrolle der Schärfe von Grenzflächen eingegangen, indem zwei Materialien verwendet wurden, die sowohl strukturelle als auch chemische Kohärenz aufweisen. Das Hauptaugenmerk liegt hier auf der Reduzierung der Unterschiede im chemischen Potential, um eine atomare Kontrolle über Oxidgrenzflächen zu ereichen. Der dritte Teil dieser Doktorarbeit handelt über die Entdeckung einer neuen Grenzfläche, die ich als Stufenkantengrenzfläche definiert habe und die es mir ermöglicht, Dünnfilme in zwei Richtungen gleichzeitig zu wachsen. Diese Art von Wachstum wurde als bidirektionales Wachstum von Dünnfilmen definiert. Im letzten Teil dieser Arbeit verweise ich auf eine Limitierung dieses bidirektionalen Wachstums bezüglich der Defektbildung; denn die Stufenkanten ermöglichen zwar die Kontrolle einer zusätzlichen Dimension für das Wachstum von Dünnfilme, aber man muss auf die kristallographischen a-, b- und c-Achsen der verschiedenen Substrate und Materialien achten. Insbesondere werden beim Wachstum von Dünnfilmen auf ordinären Substraten nur die Achsen in eine Richtung berücksichtigt, währenddessen bei der Benutzung von offcut Substraten darauf geachtet werden muss, dass a-, b- und c-Achsen zueinanderpassen. Sind die Gitterabstände zu unterschiedlich, kommt es zur Formierung von planaren Defekten wie Antiphasengrenzen. Daher wird in diesem Abschnitt darauf eingegangen, wie und wo diese Defekte auftauchen und wie man die Formierung von diesen Antiphasengrenzen verhindern kann.