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Origin of antiferroelectricity in NaNbO₃

Hadaeghi, Niloofar ; Dai, Mian ; Zhang, Yixuan ; Xie, Ruiwen ; Nouri, Hamid ; Zhang, Hongbin (2024)
Origin of antiferroelectricity in NaNbO₃.
In: Physical Review Materials, 8 (1)
doi: 10.1103/PhysRevMaterials.8.015004
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2024
Autor(en): Hadaeghi, Niloofar ; Dai, Mian ; Zhang, Yixuan ; Xie, Ruiwen ; Nouri, Hamid ; Zhang, Hongbin
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Origin of antiferroelectricity in NaNbO₃
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 2024
Ort: College Park, MD
Verlag: American Physical Society
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Physical Review Materials
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 8
(Heft-)Nummer: 1
Kollation: 10 Seiten
DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.8.015004
ID-Nummer: Artikel-ID: 015004
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Theorie magnetischer Materialien
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LOEWE > LOEWE-Schwerpunkte
LOEWE > LOEWE-Schwerpunkte > FLAME - Fermi Level Engineering Antiferroelektrischer Materialien für Energiespeicher und Isolatoren
Hinterlegungsdatum: 14 Jun 2024 12:48
Letzte Änderung: 14 Jun 2024 12:48
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