Hadaeghi, Niloofar ; Dai, Mian ; Zhang, Yixuan ; Xie, Ruiwen ; Nouri, Hamid ; Zhang, Hongbin (2024)
Origin of antiferroelectricity in NaNbO₃.
In: Physical Review Materials, 8 (1)
doi: 10.1103/PhysRevMaterials.8.015004
Artikel, Bibliographie
Typ des Eintrags: | Artikel |
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Erschienen: | 2024 |
Autor(en): | Hadaeghi, Niloofar ; Dai, Mian ; Zhang, Yixuan ; Xie, Ruiwen ; Nouri, Hamid ; Zhang, Hongbin |
Art des Eintrags: | Bibliographie |
Titel: | Origin of antiferroelectricity in NaNbO₃ |
Sprache: | Englisch |
Publikationsjahr: | 2024 |
Ort: | College Park, MD |
Verlag: | American Physical Society |
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Physical Review Materials |
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 8 |
(Heft-)Nummer: | 1 |
Kollation: | 10 Seiten |
DOI: | 10.1103/PhysRevMaterials.8.015004 |
ID-Nummer: | Artikel-ID: 015004 |
Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Theorie magnetischer Materialien LOEWE LOEWE > LOEWE-Schwerpunkte LOEWE > LOEWE-Schwerpunkte > FLAME - Fermi Level Engineering Antiferroelektrischer Materialien für Energiespeicher und Isolatoren |
Hinterlegungsdatum: | 14 Jun 2024 12:48 |
Letzte Änderung: | 14 Jun 2024 12:48 |
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