Dünne Schichten aus Nb₃Sn sind ein vielversprechender Kandidat, um Vollmaterialkavitäten aus Niob für die Radiofrequenztechnologie zu ersetzen. Neue Materialien, wie Nb₃Sn, sind in der Lage die kryogene Effizienz und Beschleunigungsgradienten durch einen niedrigeren Oberflächenwiderstand und größere kritische magnetische Felder zu erreichen. Co-Sputtering von Nb₃Sn ist ein Prozess, der es ermöglicht die Sputterrate und die kinetische Energie der Elemente Nb und Sn separat zu kontrollieren. Das erlaubt eine präzise Kontrolle des Dünnschichtwachstums und der Stöchiometrie der dünnen Schichten aus Nb₃Sn in großem Maße. Mit dieser Methode ist es möglich eine kritische Temperatur Tc,0 (Punkt, an dem die Probe vollständig im supraleitenden Zustand ist) von 16.8 K und ein kritisches Feld Hc1 von 50 mT auf Kupfersubstrat bei lediglich 480 °C Substrattemperatur bei 60 min Haltedauer ohne Wärmebehandlung nach dem Aufwachsen. Eine exzellente Homogenität in der Oberfläche und Tiefe der Dünnschicht ist gezeigt. Die angewandte Synthesetemperatur ist ausreichend niedrig, um die Durchmischung der Elemente zu unterdrücken. Die erzeugten Proben schirmen das externe Feld überzeugend in beiden Orientierungen parallel und senkrecht zum externen Feld ab. Röntgendiffraktogramme zeugen von einer hohen Phasenreinheit der schnell gewachsenen Proben bei einer niedrigen Defektdichte für Synthesetemperaturen über 400 °C und eine deutliche Textur für Proben gewachsen bei hohen Sputterleistungen. The hohe Sputterleistung unterstützt das Wachstum großerer Körner. Jedoch können unvorteilhafte Abscheideparameter zu inhomogenen Korngrenzenzuständen führen, die ein Netzwerk schwacher Kopplung der Körner bilden. Der Ursprung ist gefunden in Zinnablagerungen an den Korngrenzen, die zu performanzeinschränkender Abweichung der Stöchiometrie innerhalb der Körner führen. Makroskopisch führt das zu einer großen Übergangsbreite vom normalleitenden zum supraleitenden Zustand und zusätzlichen Zwischenniveaus des Widerstandes am Übergang. Es ist weiterhin gezeigt wie kinetische Energie zur Homogenisierung der Schicht beiträgt und die Korngrenzenzustände verbessert. Wärmebehandlung zeigte, dass sie Korngrenzenwachstum unterstützt, jedoch auch Zinnablagerungen und Einschränkungen durch Korngrenzen verstärkt. Sprünge des magnetischen Flusses tauchen auf für dünne Schichten beschichtet auf Quarzglassubstraten. Es wird dann gezeigt, dass die Sprünge des magnetisches Flusses durch Überbrückung über ein gutleitendes Substrat (in diesem Fall Kupfer), das das Stabilitätskriterium erfüllt, gelöst werden. Auf Kupfer abgeschiedene Nb₃Sn Filme scheinen eine Oberflächenrauigkeit Rq in der Größenordnung 12 nm und Korngrößen von bis zu 200 nm, sowie eine exzellente Haftung, bestimmt durch Kratztests und Eindringhärteprüfung, zu haben. Die Dicke der dünnen Schichten aus Nb₃Sn auf Kupfer hat einen einen Einfluss auf die physikalischen Eigenschaften kritische Temperatur Tc,0 und kritisches Feld Hc1. Während die kritische Temperatur für niedriger Schichtdicken abnimmt, nimmt das kritische Feld bis auf 190 mT bei eine Schichtdicke von 240 nm zu. Die niedrige Synthesetemperatur zusammen mit exzellenter Performanz der sputterbeschichteten Filme ermöglichen die hocheffiziente Nb₃Sn Dünnschichtüberzogene Kupferkavitäten für niedrigste Leistungseinbußen und optimaler Wärmeabführung durch niedrigen Oberflächenwiderstand des Nb₃Sn und hoher Wärmeleitfähigkeit des Kupfers.