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Recent Developments on MnN for Spintronic Applications

Vallejo-Fernandez, Gonzalo ; Meinert, Markus (2023)
Recent Developments on MnN for Spintronic Applications.
In: Magnetochemistry, 2021, 7 (8)
doi: 10.26083/tuprints-00019615
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion

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Kurzbeschreibung (Abstract)

There is significant interest worldwide to identify new antiferromagnetic materials suitable for device applications. Key requirements for such materials are: relatively high magnetocrystalline anisotropy constant, low cost, high corrosion resistance and the ability to induce a large exchange bias, i.e., loop shift, when grown adjacent to a ferromagnetic layer. In this article, a review of recent developments on the novel antiferromagnetic material MnN is presented. This material shows potential as a replacement for the commonly used antiferromagnet of choice, i.e., IrMn. Although the results so far look promising, further work is required for the optimization of this material.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2023
Autor(en): Vallejo-Fernandez, Gonzalo ; Meinert, Markus
Art des Eintrags: Zweitveröffentlichung
Titel: Recent Developments on MnN for Spintronic Applications
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 14 November 2023
Ort: Darmstadt
Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: 2021
Ort der Erstveröffentlichung: Basel
Verlag: MDPI
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Magnetochemistry
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 7
(Heft-)Nummer: 8
Kollation: 10 Seiten
DOI: 10.26083/tuprints-00019615
URL / URN: https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19615
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Herkunft: Zweitveröffentlichung DeepGreen
Kurzbeschreibung (Abstract):

There is significant interest worldwide to identify new antiferromagnetic materials suitable for device applications. Key requirements for such materials are: relatively high magnetocrystalline anisotropy constant, low cost, high corrosion resistance and the ability to induce a large exchange bias, i.e., loop shift, when grown adjacent to a ferromagnetic layer. In this article, a review of recent developments on the novel antiferromagnetic material MnN is presented. This material shows potential as a replacement for the commonly used antiferromagnet of choice, i.e., IrMn. Although the results so far look promising, further work is required for the optimization of this material.

Freie Schlagworte: antiferromagnetic spintronics, spintronics, exchange bias, MnN, magnetism and magnetic materials
Status: Verlagsversion
URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-196159
Zusätzliche Informationen:

This article belongs to the Special Issue Advances in Antiferromagnetic Spintronics

Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 621.3 Elektrotechnik, Elektronik
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP)
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Neue Materialien Elektronik
Hinterlegungsdatum: 14 Nov 2023 14:00
Letzte Änderung: 15 Nov 2023 09:52
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