Vallejo-Fernandez, Gonzalo ; Meinert, Markus (2023)
Recent Developments on MnN for Spintronic Applications.
In: Magnetochemistry, 2021, 7 (8)
doi: 10.26083/tuprints-00019615
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion
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Kurzbeschreibung (Abstract)
There is significant interest worldwide to identify new antiferromagnetic materials suitable for device applications. Key requirements for such materials are: relatively high magnetocrystalline anisotropy constant, low cost, high corrosion resistance and the ability to induce a large exchange bias, i.e., loop shift, when grown adjacent to a ferromagnetic layer. In this article, a review of recent developments on the novel antiferromagnetic material MnN is presented. This material shows potential as a replacement for the commonly used antiferromagnet of choice, i.e., IrMn. Although the results so far look promising, further work is required for the optimization of this material.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2023 |
| Autor(en): | Vallejo-Fernandez, Gonzalo ; Meinert, Markus |
| Art des Eintrags: | Zweitveröffentlichung |
| Titel: | Recent Developments on MnN for Spintronic Applications |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 14 November 2023 |
| Ort: | Darmstadt |
| Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: | 2021 |
| Ort der Erstveröffentlichung: | Basel |
| Verlag: | MDPI |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Magnetochemistry |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 7 |
| (Heft-)Nummer: | 8 |
| Kollation: | 10 Seiten |
| DOI: | 10.26083/tuprints-00019615 |
| URL / URN: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19615 |
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| Herkunft: | Zweitveröffentlichung DeepGreen |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | There is significant interest worldwide to identify new antiferromagnetic materials suitable for device applications. Key requirements for such materials are: relatively high magnetocrystalline anisotropy constant, low cost, high corrosion resistance and the ability to induce a large exchange bias, i.e., loop shift, when grown adjacent to a ferromagnetic layer. In this article, a review of recent developments on the novel antiferromagnetic material MnN is presented. This material shows potential as a replacement for the commonly used antiferromagnet of choice, i.e., IrMn. Although the results so far look promising, further work is required for the optimization of this material. |
| Freie Schlagworte: | antiferromagnetic spintronics, spintronics, exchange bias, MnN, magnetism and magnetic materials |
| Status: | Verlagsversion |
| URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-196159 |
| Zusätzliche Informationen: | This article belongs to the Special Issue Advances in Antiferromagnetic Spintronics |
| Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Neue Materialien Elektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 14 Nov 2023 14:00 |
| Letzte Änderung: | 15 Nov 2023 09:52 |
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Verfügbare Versionen dieses Eintrags
- Recent Developments on MnN for Spintronic Applications. (deposited 14 Nov 2023 14:00) [Gegenwärtig angezeigt]
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