Die vorliegende Arbeit untersucht eingehend die Effizienz von Silizium-Oxycarbid (SiOC) als piezoresistives Material für den Einsatz in Dehnungsmesswandler oder Drucksensoren. Die Realisierung eines kosteneffizienten Dehnungsmessstreifens, der bei erhöhter Temperatur arbeiten kann, dient als oberstes Ziel dieser Arbeit. Dieses Ziel wird auf der Grundlage der sehr hohen intrinsischen Piezoresistivität von SiOC (Gauge-Faktor im Bereich von 10 - 102) in Verbindung mit ausgezeichneten Eigenschaften wie elektrischer Leitfähigkeit, guter Wärmebeständigkeit und einer sehr guten Eignung als Beschichtungsmaterial für harsche Umgebungsbedingungen (z.B. hohe Temperaturen, korrosive Atmosphäre) ergründet. Ein optimierter Prozess der Schleuderbeschichtung wird verwendet, um einen ~500 nm dicken SiOC-Film auf ein passivierten Siliziumsubstrat mit einem Durchmesser von 100 mm aufzubringen. Der Abscheidungsprozess wird mit einem Taguchi-Experimentdesign überprüft, was zu einem reproduzierbaren und kontrollierten Prozess mit einer rissfreien und homogenen Beschichtung führt. Ein hauseigener Piezoresistivitäts-Testaufbau wird unter Berücksichtigung der Minimierung der elektrischen Kontaktwiderstände, der Fähigkeit zur Durchführung mechanischer zyklischer Belastungen und der Fähigkeit zum Betrieb bei erhöhter Temperatur bis 700 °C hergestellt. Nach dem Pyrolyseprozess bei 1400 °C weist der SiOC-Film rundliche Segregationen auf, die als kohlenstoffreich und sauerstoffarm identifiziert werden und gleichmäßig in einer SiOC-basierten Matrix verteilt sind. Eine genauere Untersuchung des segregierten Bereichs ergibt eine zweistufige hierarchische Mikrostruktur aus sp2-hybridisiertem Kohlenstoff, Si3N4 und SiC. Andererseits bestätigt die Raman-Analyse das Vorhandensein von sp2-hybridisiertem Kohlenstoff nicht nur im segregierten Bereich, sondern auch in der Matrix, die sich durch die unterschiedlichen Kristallgrößen auszeichnet. Kohlenstoffbereiche einschließlich Tortuosität (Leq) sind im segregierten Bereich größer als in der Matrix des Films. Eine Kinetikstudie zeigt, dass die Größe der Ausscheidungen das Ergebnis der freien Kohlenstoffdiffusion durch die Siliziumdioxidschicht bei einer Aktivierungsenergie von 3,05 eV ist. Für die PZR-Tests werden Platin-Elektroden mittels Fotolithografie auf die Oberfläche des SiOC-Films gedruckt. Die hergestellten-Prototypen haben eine hohe Empfindlichkeit mit Gauge Factor (GF) im Bereich von 2000 - 5000, die bei 25 - 400 °C getestet werden. Bei 500 - 700 °C verändert sich das Verhalten des Materials von halbleitend zu leitend, wodurch der Widerstand auf 11 Ω und der GF auf 200 sinkt. Dieser GF ist immer noch vergleichsweise größer als bei handelsüblichen Dehnungsmessstreifen auf Metall- und Siliziumbasis. Die unterschiedlichen mechanischen zyklischen Belastungen, denen die Prototypen ausgesetzt werden, beeinflussen den Grad der Reaktionshysterese und die Linearität des Dehnungsbereichs. In beiden Fällen erweisen sich die Tests unter Druckbelastung gegenüber den Dehnungsversuchen als überlegen. Mit diesen Ergebnissen liefert die vorliegende Arbeit einen funktionierenden Dehnungsmessstreifen-Prototyp auf der Basis eines SiOC-basierten Dünnfilms mit hoher Empfindlichkeit, Reproduzierbarkeit und Robustheit. Die sehr hohe Empfindlichkeit des hergestellten Dehnungsmessstreifens bei erhöhter Temperatur (bis 700 °C) übertrifft die bekannte Anwendung der aktuellen kommerziellen Dehnungsmessstreifen. Darüber hinaus ermöglicht die beobachtete Veränderung des elektrischen Verhaltens des Materials bei 460 °C einen Einsatz als Strombegrenzer und Temperatursensor.