Diese Dissertation untersucht organische Halbleiter (OHL) für die Anwendung in organischen Leuchtdioden (OLED) in Zusammenarbeit mit unserem Projektpartner Merck KGaA. Eine häufig genannte Eigenschaft von OHL ist die chemische Vielseitigkeit, welche es erlaubt neue Moleküle leicht zu synthetisieren. Ein tieferes Verständnis der Beziehung von molekularer Struktur zu Bauteileigenschaften könnte hier zu einer schnelleren Sichtung und Entwicklung neuer Materialien führen. Als Beitrag zu diesem Ziel, analysiert und diskutiert diese Arbeit die Eigenschaften von Lochtransportmaterialien (HTM) mit Fokus auf den elektronischen Eigenschaften. Die elektronischen Eigenschaften von Indium-Zinnoxid (ITO) Substraten, einem kommerziellen p-Dotanden, CPTCFA, einem literaturbekannten HTM, m-MTDATA, einem HTM von Merck KGaA, HTM-B, und Aluminium werden an Dünnschichten mittels Photoelektronenspektroskopie (PES) bestimmt. Absorptionsspektroskopie im ultravioletten, sichtbaren, sowie infraroten spektralen Bereich an reinen und p-dotierten HTM-Dünnschichten, in Verbindung mit Dichtefunktionaltheorieberechnungen, gibt Aufschluss über den Dotiermechanismus. Das System CPTCFA:m-MTDATA zeigt einen ganzzahligen Ladungsübertrag, während CPTCFA:HTM-B diesen nicht zeigt. Letzteres deutet auf die Bildung eines Ladungsübertragkomplexes hin. Die elektronischen Eigenschaften an ITO | (p-)HTM Hetero- und p-HTM | HTM Homogrenzflächen werden während schrittweisen Abscheidungsexperimenten mit PES untersucht. Ein neues Modell basierend auf Zustandsdichten zum Fitten von PES-Daten wird vorgestellt. Dieses Modell ermöglicht es die auf klassischem Wege erhaltenen Ergebnisse an den Heterogrenzflächen zu reproduzieren. Zusätzlich bietet es mehr Details und eine genauere Beschreibung des elektrischen Potentialverlaufs. Des Weiteren erlaubt das Modell erst die Analyse der Homogrenzflächen. Dies führt zur Entdeckung einer unerwarteten Raumladungszone in der p-dotierten HTM Schicht. Nach einer Weiterentwicklung des Modells wird eine erhöhte Anzahl von Zuständen innerhalb der Energielücke für Moleküle in der undotierten HTM-Schicht direkt an der Grenzfläche vorausgesagt. Die Grenzflächen zwischen dem Al-Rückkontakt und den HTM bzw. p-HTM Schichten werden untersucht. Diese Grenzfläche ist für reine Lochtransportbauteile relevant. Diese Lochtransportbauteile werden genutzt, um Effekte an weniger komplexen Bauteilstrukturen zu studieren. Es wird gezeigt, dass Al dazu neigt in die organische Schicht zu diffundieren, dort mit dem Dotiermolekül zu reagieren, das Material zu redotieren, und die elektronischen Eigenschaften stark zu verändern. Dies könnte ein Problem sein, da diese HTM | Al-Grenzfläche anscheinend einen starken Effekt auf die Eigenschaften von reinen Lochtransportbauteilen hat und so zu Schlussfolgerungen führen kann, welche sich nicht auf komplette Bauteile übertragen lassen, da diese Grenzfläche dort nicht vorkommt. Abschließend wird ein Effekt der niederanregungsenergetischen Elektronenemission (genannt L4E) beobachtet. Freie Elektronen werden durch die Beleuchtung einer m-MTDATA Dünnschicht mit einer ultravioletten LED erzeugt, obwohl die Photonenenergie niedriger ist als das Ionisationspotential des Materials. Dieser Effekt steht höchstwahrscheinlich im Zusammenhang mit einer Triplet-Triplet-Annihilationsmechanismus und eine Anwendung als (gepulste) Raumtemperatur Elektronenquelle wird diskutiert.