Ziel dieser Arbeit ist es, dass Verständnis über den Einfluss von unterschiedlichen Dotanden auf die optischen und elektrischen Eigenschaften sowie die Oberflächenpotentiale von dotiertem Indiumoxid zu erweitern. Der Fokus liegt auf dünnen Schichten von Sn:In2O3, Ge:In2O3, Mo:In2O3 and Ti:In2O3. Die Magnetron-Kathodenzerstäubung wurde für die Herstellung der dünnen Schichten verwendet. Neben dem Dotierelement und dessen Konzentration im Target wurde die Substrattemperatur und der Sauerstoffgehalt der Atmosphäre während der Abscheidung variiert. Die optischen Eigenschaften wurden mittels Spektrophotometrie und spektroskopischer Ellipsometrie untersucht. Durch Simulation der Spektren konnten optische Ladungsträgerkonzentrationen und Mobilitäten mit Werten aus Leitfähigkeits- und Hall-Effekt-Messungen verglichen werden. Für die Analyse der chemischen Zusammensetzung und elektronischen Struktur der Oberfläche wurde die Photoelektronen Spektroskopie verwendet. Die kristallographische Struktur ausgewählter Proben wurde durch Röntgenbeugung charakterisiert. Unabhängig von dem Dotierelement konnte eine Abnahme der Ladungsträgerkonzentration mit steigendem chemischem Potential des Sauerstoffs festgestellt werden. Dies unterstreicht die Funktion von interstitiellem Sauerstoff als Akzeptor Defekt. Tendenziell steigt die Leitfähigkeit der Schichten mit der Substrattemperatur während der Abscheidung. Abhängig vom Dotierelement kann es bei hohen Temperaturen aber auch zum Verlust der Leitfähigkeit kommen. Die Ladungsträgermobilität und Dotiereffizienz, die mit der maximal erreichbaren Ladungsträgerkonzentration korreliert, hängen ebenfalls stark vom Dotierstoff ab. Die Ladungsträgermobilität ist durch die Höhe der Korngrenzbarrieren bestimmt, welche wesentlich durch Segregation des Dotierstoffs zu den Korngrenzen beeinflusst wird. Es werden verschiedene Effekte, die mögliche Grenzen für die Ladungsträgerkonzentration darstellen können, diskutiert. Für alle Materialien wurde eine Segregation des Dotanden an die Oberfläche nachgewiesen. In Abhängigkeit des Elements, kommt es entweder unter oxidierenden oder reduzierenden Bedingungen zu verstärkter Segregation. Während sich Ti wie Sn verhält, wurden für Mo und Ge erhöhte Oberflächenkonzentrationen unter oxidierenden Bedingungen dachgewiesen. In den letzten beiden Fällen zeigt sich keine Korrelation zur Position des Fermi Niveaus. Unterschiedliche Ursachen für die gegensätzlichen Beobachtungen, basierend auf Defekt-Chemie, Stabilität der Oxide und Ionenradien wurden diskutiert. Es wird erwartet, dass die Variation der Oberflächenpotentiale für die verschiedenen Dotierelemente auf stark unterschiedliche Oberflächendipole, der sich an der Oberfläche bildenden Dotierelementoxide, zurückzuführen ist. Ein Zusammenhang zu der Terminierung der Oberfläche und der Oberflächenorientierung, wie er für In2O3 gezeigt werden konnte, kann für die unterschiedlichen Dotierelemente nicht gezeigt werden.