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Study and realization of InGaP-GaAs 'Collector up' double heterojunction bipolar transistors for high performance RF applications

Henkel, Achim :
Study and realization of InGaP-GaAs 'Collector up' double heterojunction bipolar transistors for high performance RF applications.
VDI-Verl , Düsseldorf
[Dissertation]

Typ des Eintrags: Dissertation
Erschienen: 1998
Autor(en): Henkel, Achim
Titel: Study and realization of InGaP-GaAs 'Collector up' double heterojunction bipolar transistors for high performance RF applications
Sprache: Englisch
Band: 275
Ort: Düsseldorf
Verlag: VDI-Verl
Edition: Düsseldorf: VDI-Verl., 1998. XI,137 S
Kollation: XI,137 S
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 15:55
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