Schuldt, Katharina N. S. ; Ding, Hui ; Jaud, Jean-Christophe ; Koruza, Jurij ; Klein, Andreas (2022)
Influence of Defects on the Schottky Barrier Height at BaTiO₃/RuO₂ Interfaces.
In: Physica status solidi (a), 2021, 218 (14)
doi: 10.26083/tuprints-00020139
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion
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Kurzbeschreibung (Abstract)
The Schottky barrier formation between polycrystalline acceptor‐doped BaTiO₃ and high work function RuO₂ is studied using photoelectron spectroscopy. Schottky barrier heights for electrons of ≈1.4 eV are determined, independent of doping level and oxygen vacancy concentration of the substrates. The insensitivity of the barrier height is related to the high permittivity of BaTiO₃, which results in space‐charge regions (SCRs) being considerably wider than the inelastic mean free path of the photoelectrons. SCRs at any kind of interface should, therefore, be more important for the electronic and ionic conductivities in BaTiO₃ than in materials with lower permittivity. A Ba‐rich phase at the surface of reduced acceptor‐doped BaTiO₃ is also identified, which is explained by the formation of Ti vacancies in the 2D electron gas region at the surface.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2022 |
| Autor(en): | Schuldt, Katharina N. S. ; Ding, Hui ; Jaud, Jean-Christophe ; Koruza, Jurij ; Klein, Andreas |
| Art des Eintrags: | Zweitveröffentlichung |
| Titel: | Influence of Defects on the Schottky Barrier Height at BaTiO₃/RuO₂ Interfaces |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 2022 |
| Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: | 2021 |
| Verlag: | Wiley-VCH GmbH |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Physica status solidi (a) |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 218 |
| (Heft-)Nummer: | 14 |
| Kollation: | 9 Seiten |
| DOI: | 10.26083/tuprints-00020139 |
| URL / URN: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/20139 |
| Zugehörige Links: | |
| Herkunft: | Zweitveröffentlichung DeepGreen |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | The Schottky barrier formation between polycrystalline acceptor‐doped BaTiO₃ and high work function RuO₂ is studied using photoelectron spectroscopy. Schottky barrier heights for electrons of ≈1.4 eV are determined, independent of doping level and oxygen vacancy concentration of the substrates. The insensitivity of the barrier height is related to the high permittivity of BaTiO₃, which results in space‐charge regions (SCRs) being considerably wider than the inelastic mean free path of the photoelectrons. SCRs at any kind of interface should, therefore, be more important for the electronic and ionic conductivities in BaTiO₃ than in materials with lower permittivity. A Ba‐rich phase at the surface of reduced acceptor‐doped BaTiO₃ is also identified, which is explained by the formation of Ti vacancies in the 2D electron gas region at the surface. |
| Freie Schlagworte: | BaTiO3 , defects, Schottky barriers |
| Status: | Verlagsversion |
| URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-201392 |
| Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Elektronenmikroskopie 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Elektronenstruktur von Materialien 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Nichtmetallisch-Anorganische Werkstoffe 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Strukturforschung LOEWE LOEWE > LOEWE-Schwerpunkte LOEWE > LOEWE-Schwerpunkte > FLAME - Fermi Level Engineering Antiferroelektrischer Materialien für Energiespeicher und Isolatoren |
| Hinterlegungsdatum: | 07 Apr 2022 12:11 |
| Letzte Änderung: | 06 Dez 2023 09:28 |
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Verfügbare Versionen dieses Eintrags
- Influence of Defects on the Schottky Barrier Height at BaTiO₃/RuO₂ Interfaces. (deposited 07 Apr 2022 12:11) [Gegenwärtig angezeigt]
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