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Defects in high-entropy alloys studied by atomic scale computer simulations

Utt, Daniel Thomas (2022)
Defects in high-entropy alloys studied by atomic scale computer simulations.
Technische Universität Darmstadt
doi: 10.26083/tuprints-00020929
Dissertation, Erstveröffentlichung, Verlagsversion

Kurzbeschreibung (Abstract)

High-entropy alloys (HEAs) are a new class of metal alloys containing multiple principal elements in concentrations between 5-35 at%. Due to their inherent chemical complexity, they possess a wide range of interesting properties, which we explore in greater detail throughout this thesis.

Reduced or sluggish diffusion has been discussed for HEAs since their inception. We perform time-scale bridging simulations on the pseudo-binary (CoCrFeMn)_(1-x)Ni_x HEA, combining atomistic simulations of the vacancy migration energies and equilibrium vacancy concentrations with kinetic Monte Carlo simulations of tracer diffusion trajectories. Here, we extend the established random alloy model to account for the local chemical fluctuations within the complex alloy matrix. The results compare favorably to experimental tracer diffusion measurements.

Dislocations in HEAs also interact with chemical fluctuations in the random matrix. This leads to a meandering dislocation line shape and localized pinning during dislocation glide. We find a physically motivated descriptor for these pinning sites in the form of a per-atom Peierls force. This descriptor shows good spatial correlation with observed dislocation pinning sites during glide. Furthermore, we show that the density of strong pinning sites in an alloy correlates not only with the critical shear required to initiate dislocation glide but also the dislocation mobility.

We report on the grain growth properties of a CoCuFeNi model HEA. Atomistic simulations give unique insights into the effects of random chemical fluctuations by comparison of the HEA to its average-atom counterpart. The average-atom is a virtual element which has the same long-range properties as the alloy but consists only of a single element. Additionally, solute segregation to grain boundaries (GBs) is considered. The comparison of two different samples, namely a Sigma 11 GB and a large-scale nanocrystalline sample, reveals that while grain growth is reduced in the HEA compared to other pure metals, this does not stem from the chemical randomness. Instead, solute segregation is necessary to pin GBs up to high temperatures.

Typ des Eintrags: Dissertation
Erschienen: 2022
Autor(en): Utt, Daniel Thomas
Art des Eintrags: Erstveröffentlichung
Titel: Defects in high-entropy alloys studied by atomic scale computer simulations
Sprache: Englisch
Referenten: Albe, Prof. Dr. Karsten ; Maresca, Ass.-Prof. Francesco
Publikationsjahr: 2022
Ort: Darmstadt
Kollation: VIII, 185 Seiten
Datum der mündlichen Prüfung: 27 September 2021
DOI: 10.26083/tuprints-00020929
URL / URN: https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/20929
Kurzbeschreibung (Abstract):

High-entropy alloys (HEAs) are a new class of metal alloys containing multiple principal elements in concentrations between 5-35 at%. Due to their inherent chemical complexity, they possess a wide range of interesting properties, which we explore in greater detail throughout this thesis.

Reduced or sluggish diffusion has been discussed for HEAs since their inception. We perform time-scale bridging simulations on the pseudo-binary (CoCrFeMn)_(1-x)Ni_x HEA, combining atomistic simulations of the vacancy migration energies and equilibrium vacancy concentrations with kinetic Monte Carlo simulations of tracer diffusion trajectories. Here, we extend the established random alloy model to account for the local chemical fluctuations within the complex alloy matrix. The results compare favorably to experimental tracer diffusion measurements.

Dislocations in HEAs also interact with chemical fluctuations in the random matrix. This leads to a meandering dislocation line shape and localized pinning during dislocation glide. We find a physically motivated descriptor for these pinning sites in the form of a per-atom Peierls force. This descriptor shows good spatial correlation with observed dislocation pinning sites during glide. Furthermore, we show that the density of strong pinning sites in an alloy correlates not only with the critical shear required to initiate dislocation glide but also the dislocation mobility.

We report on the grain growth properties of a CoCuFeNi model HEA. Atomistic simulations give unique insights into the effects of random chemical fluctuations by comparison of the HEA to its average-atom counterpart. The average-atom is a virtual element which has the same long-range properties as the alloy but consists only of a single element. Additionally, solute segregation to grain boundaries (GBs) is considered. The comparison of two different samples, namely a Sigma 11 GB and a large-scale nanocrystalline sample, reveals that while grain growth is reduced in the HEA compared to other pure metals, this does not stem from the chemical randomness. Instead, solute segregation is necessary to pin GBs up to high temperatures.

Alternatives oder übersetztes Abstract:
Alternatives AbstractSprache

Hoch-Entropie Legierungen (engl. high-entropy alloy, HEA) sind eine neue Klasse von Metalllegierungen, die mehrere Hauptelemente in Konzentrationen zwischen 5-35 at% enthalten. Aufgrund dieser chemischen Komplexität besitzen sie eine breite Palette interessanter Eigenschaften, die wir in dieser Arbeit näher untersuchen.

Seit den ersten Experimenten wird für HEAs eine reduzierte Diffusivität im Vergleich zu klassischen Legierungen diskutiert. Wir kombinieren atomistisch berechneten Leerstellenmigrationsenergien und Leerstellenkonzentrationen zu Mehrskalensimulation verschiedener pseudo-binärer (CoCrFeMn)_(1-x)Ni_x HEA. Hierfür werden kinetische Monte Carlo Simulationen genutzt, um die Diffusionspfade von Traceratomen durch die HEA zu bestimmen. Hier erweitern wir das klassische Zufallslegierungsmodell, sodass die lokalen chemischen Fluktuationen der komplexen Legierung explizit berücksichtigt werden. Die berechneten Diffusivitäten zeigen gute Übereinstimmung mit experimentellen Tracerdiffusionsmessungen.

Versetzungen interagieren ebenfalls mit den chemischen Fluktuationen in HEAs. Dies führt zu einer geschlängelten Versetzungslinie und lokalisiertem anhaften der Versetzung während des Gleitens. Wir entwickeln einen physikalisch motivierten Deskriptor für diese Verankerungspositionen im Material. Diese zeigen sich in Form einer atomaren Peierls-Kraft. Dieser Deskriptor zeigt eine räumliche Korrelation mit den während der Verformung beobachteten Versetzungsverankerungsstellen. Darüber hinaus zeigen wir, dass die Dichte der starken Haftstellen in einer Legierung nicht nur mit der kritischen Scherkraft korreliert, die erforderlich ist, um die Versetzung in Bewegung zu versetzen, sondern auch mit ihrer Mobilität.

Abschließend, berichten wir über die Kornwachstumseigenschaften einer CoCuFeNi Modell-HEA. Atomistische Simulationen geben einzigartige Einblicke in die Effekte der chemischen Fluktuationen in der HEA. Dies wird durch den Vergleich der vier Komponenten Legierung mit ihrem Durchschnittsatom Gegenstück ermöglicht. Dieses sogenannte Durchschnittsatom ist ein virtuelles Element mit den gleichen makroskopischen Eigenschaften wie die vollständige HEA, obwohl es lediglich aus einer Atomsorte besteht. Des Weiteren wird der Einfluss von Seigerung zu den Korngrenzen (KG) untersucht. In beiden studierten Probengeometrien, einer Sigma 11 KG und einer nanokristallinen Probe, zeigt sich, dass das Kornwachstum in der HEA im Vergleich zu anderen reinen Metallen zwar reduziert ist, dass dies jedoch nicht auf die chemische Komplexität zurückzuführen ist. Die Seigerung von Cu zu den KG ist es­sen­zi­ell, um Kornwachstum bis zu hohen Einsatztemperaturen zu unterbinden.

Deutsch
Status: Verlagsversion
URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-209296
Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Materialmodellierung
TU-Projekte: DFG|STU611/2-1|Thermomechanische Ei
Hinterlegungsdatum: 17 Mär 2022 09:55
Letzte Änderung: 18 Mär 2022 07:19
PPN:
Referenten: Albe, Prof. Dr. Karsten ; Maresca, Ass.-Prof. Francesco
Datum der mündlichen Prüfung / Verteidigung / mdl. Prüfung: 27 September 2021
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