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Growth of Boron-Rich Nanowires by Chemical Vapor Deposition (CVD)

Guo, L. ; Singh, R. N. ; Kleebe, Hans‐Joachim (2022)
Growth of Boron-Rich Nanowires by Chemical Vapor Deposition (CVD).
In: Journal of Nanomaterials, 2006
doi: 10.26083/tuprints-00020480
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion

Kurzbeschreibung (Abstract)

B-rich nanowires are grown on Ni coated oxidized Si(111) substrate using diborane as the gas precursor in a CVD process at 20 torr and 900°C. These nanowires have diameters around 20–100 nanometers and lengths up to microns. Icosahedron B12 is shown to be the basic building unit forming the amorphous B-rich nanowires as characterized by EDAX, XRD, XPS, and Raman spectroscopies. The gas chemistry at low [B₂H₆]/ [N₂] ratio is monitored by the in situ mass spectroscopy, which identified N₂ as an inert carrier gas leading to formation of the B-rich compounds. A nucleation controlled growth mechanism is proposed to explain the rugged nanowire growth of boron. The role of the Ni catalyst in the synthesis of the B-rich nanostructures is also discussed.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2022
Autor(en): Guo, L. ; Singh, R. N. ; Kleebe, Hans‐Joachim
Art des Eintrags: Zweitveröffentlichung
Titel: Growth of Boron-Rich Nanowires by Chemical Vapor Deposition (CVD)
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 2022
Verlag: Hindawi Publishing Corporation
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of Nanomaterials
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 2006
Kollation: 6 Seiten
DOI: 10.26083/tuprints-00020480
URL / URN: https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/20480
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Herkunft: Zweitveröffentlichungsservice
Kurzbeschreibung (Abstract):

B-rich nanowires are grown on Ni coated oxidized Si(111) substrate using diborane as the gas precursor in a CVD process at 20 torr and 900°C. These nanowires have diameters around 20–100 nanometers and lengths up to microns. Icosahedron B12 is shown to be the basic building unit forming the amorphous B-rich nanowires as characterized by EDAX, XRD, XPS, and Raman spectroscopies. The gas chemistry at low [B₂H₆]/ [N₂] ratio is monitored by the in situ mass spectroscopy, which identified N₂ as an inert carrier gas leading to formation of the B-rich compounds. A nucleation controlled growth mechanism is proposed to explain the rugged nanowire growth of boron. The role of the Ni catalyst in the synthesis of the B-rich nanostructures is also discussed.

Status: Verlagsversion
URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-204800
Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie
500 Naturwissenschaften und Mathematik > 550 Geowissenschaften
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Geowissenschaften > Fachgebiet Geomaterialwissenschaft
Hinterlegungsdatum: 09 Feb 2022 13:28
Letzte Änderung: 10 Feb 2022 06:32
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