Guo, L. ; Singh, R. N. ; Kleebe, Hans‐Joachim (2022)
Growth of Boron-Rich Nanowires by Chemical Vapor Deposition (CVD).
In: Journal of Nanomaterials, 2006, 2006
doi: 10.26083/tuprints-00020480
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion
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Kurzbeschreibung (Abstract)
B-rich nanowires are grown on Ni coated oxidized Si(111) substrate using diborane as the gas precursor in a CVD process at 20 torr and 900°C. These nanowires have diameters around 20–100 nanometers and lengths up to microns. Icosahedron B12 is shown to be the basic building unit forming the amorphous B-rich nanowires as characterized by EDAX, XRD, XPS, and Raman spectroscopies. The gas chemistry at low [B₂H₆]/ [N₂] ratio is monitored by the in situ mass spectroscopy, which identified N₂ as an inert carrier gas leading to formation of the B-rich compounds. A nucleation controlled growth mechanism is proposed to explain the rugged nanowire growth of boron. The role of the Ni catalyst in the synthesis of the B-rich nanostructures is also discussed.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2022 |
| Autor(en): | Guo, L. ; Singh, R. N. ; Kleebe, Hans‐Joachim |
| Art des Eintrags: | Zweitveröffentlichung |
| Titel: | Growth of Boron-Rich Nanowires by Chemical Vapor Deposition (CVD) |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 2022 |
| Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: | 2006 |
| Verlag: | Hindawi Publishing Corporation |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of Nanomaterials |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 2006 |
| Kollation: | 6 Seiten |
| DOI: | 10.26083/tuprints-00020480 |
| URL / URN: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/20480 |
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| Herkunft: | Zweitveröffentlichungsservice |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | B-rich nanowires are grown on Ni coated oxidized Si(111) substrate using diborane as the gas precursor in a CVD process at 20 torr and 900°C. These nanowires have diameters around 20–100 nanometers and lengths up to microns. Icosahedron B12 is shown to be the basic building unit forming the amorphous B-rich nanowires as characterized by EDAX, XRD, XPS, and Raman spectroscopies. The gas chemistry at low [B₂H₆]/ [N₂] ratio is monitored by the in situ mass spectroscopy, which identified N₂ as an inert carrier gas leading to formation of the B-rich compounds. A nucleation controlled growth mechanism is proposed to explain the rugged nanowire growth of boron. The role of the Ni catalyst in the synthesis of the B-rich nanostructures is also discussed. |
| Status: | Verlagsversion |
| URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-204800 |
| Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 550 Geowissenschaften |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Geowissenschaften > Fachgebiet Geomaterialwissenschaft |
| Hinterlegungsdatum: | 09 Feb 2022 13:28 |
| Letzte Änderung: | 10 Feb 2022 06:32 |
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Verfügbare Versionen dieses Eintrags
- Growth of Boron-Rich Nanowires by Chemical Vapor Deposition (CVD). (deposited 09 Feb 2022 13:28) [Gegenwärtig angezeigt]
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