Späth, B. ; Fritsche, J. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram (2021)
Nitrogen doping of ZnTe and its influence on CdTe∕ZnTe interfaces.
In: Applied Physics Letters, 2007, 90 (6)
doi: 10.26083/tuprints-00019883
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion
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Kurzbeschreibung (Abstract)
The properties of nitrogen doped ZnTe films and in situ formed heterointerfaces to CdTe were investigated using photoelectron spectroscopy and electrical measurements. The p doping of ZnTe with nitrogen is controlled during physical vapor deposition with an additional nitrogen plasma source. The resistivity was determined by four-point measurements and a minimum resistivity of ρ = 0.04 Ω cm was found. The valence band offset of the CdTe/ZnTe interface is EVBO = 0.05 eV.
Typ des Eintrags: | Artikel |
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Erschienen: | 2021 |
Autor(en): | Späth, B. ; Fritsche, J. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram |
Art des Eintrags: | Zweitveröffentlichung |
Titel: | Nitrogen doping of ZnTe and its influence on CdTe∕ZnTe interfaces |
Sprache: | Englisch |
Publikationsjahr: | 2021 |
Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: | 2007 |
Verlag: | AIP Publishing |
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Applied Physics Letters |
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 90 |
(Heft-)Nummer: | 6 |
Kollation: | 3 Seiten |
DOI: | 10.26083/tuprints-00019883 |
URL / URN: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19883 |
Zugehörige Links: | |
Kurzbeschreibung (Abstract): | The properties of nitrogen doped ZnTe films and in situ formed heterointerfaces to CdTe were investigated using photoelectron spectroscopy and electrical measurements. The p doping of ZnTe with nitrogen is controlled during physical vapor deposition with an additional nitrogen plasma source. The resistivity was determined by four-point measurements and a minimum resistivity of ρ = 0.04 Ω cm was found. The valence band offset of the CdTe/ZnTe interface is EVBO = 0.05 eV. |
Status: | Verlagsversion |
URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-198839 |
Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung |
Hinterlegungsdatum: | 12 Nov 2021 13:39 |
Letzte Änderung: | 13 Feb 2024 14:55 |
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Verfügbare Versionen dieses Eintrags
- Nitrogen doping of ZnTe and its influence on CdTe∕ZnTe interfaces. (deposited 12 Nov 2021 13:39) [Gegenwärtig angezeigt]
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