Schulmeyer, T. ; Hunger, R. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram ; Niki, S. (2021)
Photoemission study and band alignment of the CuInSe₂(001)/CdS heterojunction.
In: Applied Physics Letters, 2004, 84 (16)
doi: 10.26083/tuprints-00019885
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion
 | Es ist eine neuere Version dieses Eintrags verfügbar. |
Kurzbeschreibung (Abstract)
The contact formation of thin-film epitaxial CuInSe₂(001) with a physical-vapor-deposited CdS layer is presented in this work. Synchrotron-excited photoelectron spectroscopy was used for this investigation. The epitaxial CuInSe₂ films contain a surface layer of reduced Cu stoichiometry similar to the ordered defect compound CuIn₃Se₅. A valence band offset of 0.79±0.15 eV has been determined for this heterojunction. The comparison to literature data indicates that neither surface orientation nor surface copper content have a major impact on the valence band offset of CuIn₃Se₅, respectively, CuInSe₂ with CdS.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2021 |
| Autor(en): | Schulmeyer, T. ; Hunger, R. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram ; Niki, S. |
| Art des Eintrags: | Zweitveröffentlichung |
| Titel: | Photoemission study and band alignment of the CuInSe₂(001)/CdS heterojunction |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 2021 |
| Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: | 2004 |
| Verlag: | AIP Publishing |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Applied Physics Letters |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 84 |
| (Heft-)Nummer: | 16 |
| DOI: | 10.26083/tuprints-00019885 |
| URL / URN: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19885 |
| Zugehörige Links: | |
| Herkunft: | Zweitveröffentlichungsservice |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | The contact formation of thin-film epitaxial CuInSe₂(001) with a physical-vapor-deposited CdS layer is presented in this work. Synchrotron-excited photoelectron spectroscopy was used for this investigation. The epitaxial CuInSe₂ films contain a surface layer of reduced Cu stoichiometry similar to the ordered defect compound CuIn₃Se₅. A valence band offset of 0.79±0.15 eV has been determined for this heterojunction. The comparison to literature data indicates that neither surface orientation nor surface copper content have a major impact on the valence band offset of CuIn₃Se₅, respectively, CuInSe₂ with CdS. |
| Status: | Verlagsversion |
| URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-198851 |
| Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung |
| Hinterlegungsdatum: | 12 Nov 2021 13:40 |
| Letzte Änderung: | 15 Nov 2021 06:52 |
| PPN: | |
| Export: | |
| Suche nach Titel in: | TUfind oder in Google |
Verfügbare Versionen dieses Eintrags
- Photoemission study and band alignment of the CuInSe₂(001)/CdS heterojunction. (deposited 12 Nov 2021 13:40) [Gegenwärtig angezeigt]
 |
Frage zum Eintrag |
Optionen (nur für Redakteure)
 |
Redaktionelle Details anzeigen |
Drucken
Impressum