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Fermi-level-dependent defect formation in Cu-chalcopyrite semiconductors

Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram (2021)
Fermi-level-dependent defect formation in Cu-chalcopyrite semiconductors.
In: Applied Physics Letters, 1999, 74 (16)
doi: 10.26083/tuprints-00019855
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion

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Kurzbeschreibung (Abstract)

Valence-band photoelectron spectroscopy of CuInSe₂, CuInS₂, and CuGaSe₂ surfaces and interfaces give evidence for the formation of Cu vacancies when the Fermi level moves upwards in the band gap due to contact formation. The effect might be a key issue in understanding basic properties of solar cell devices based on these materials.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2021
Autor(en): Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram
Art des Eintrags: Zweitveröffentlichung
Titel: Fermi-level-dependent defect formation in Cu-chalcopyrite semiconductors
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 2021
Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: 1999
Verlag: AIP Publishing
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Applied Physics Letters
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 74
(Heft-)Nummer: 16
DOI: 10.26083/tuprints-00019855
URL / URN: https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19855
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Herkunft: Zweitveröffentlichungsservice
Kurzbeschreibung (Abstract):

Valence-band photoelectron spectroscopy of CuInSe₂, CuInS₂, and CuGaSe₂ surfaces and interfaces give evidence for the formation of Cu vacancies when the Fermi level moves upwards in the band gap due to contact formation. The effect might be a key issue in understanding basic properties of solar cell devices based on these materials.

Status: Verlagsversion
URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-198554
Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung
Hinterlegungsdatum: 11 Nov 2021 13:23
Letzte Änderung: 12 Nov 2021 07:51
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