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Enhancing electrical conductivity of room temperature deposited Sn-doped In₂O₃ thin films by hematite seed layers

Lohaus, Christian ; Steinert, Céline ; Deyu, Getnet ; Brötz, Joachim ; Jaegermann, Wolfram ; Klein, Andreas (2021)
Enhancing electrical conductivity of room temperature deposited Sn-doped In₂O₃ thin films by hematite seed layers.
In: Applied Physics Letters, 112 (15)
doi: 10.26083/tuprints-00019853
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion

Kurzbeschreibung (Abstract)

Hematite Fe₂O₃ seed layers are shown to constitute a pathway to prepare highly conductive transparent tin-doped indium oxide thin films by room temperature magnetron sputtering. Conductivities of up to δ = 3300 S/cm are observed. The improved conductivity is not restricted to the interface but related to an enhanced crystallization of the films, which proceeds in the rhombohedral phase.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2021
Autor(en): Lohaus, Christian ; Steinert, Céline ; Deyu, Getnet ; Brötz, Joachim ; Jaegermann, Wolfram ; Klein, Andreas
Art des Eintrags: Zweitveröffentlichung
Titel: Enhancing electrical conductivity of room temperature deposited Sn-doped In₂O₃ thin films by hematite seed layers
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 2021
Verlag: AIP Publishing
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Applied Physics Letters
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 112
(Heft-)Nummer: 15
Kollation: 4 Seiten
DOI: 10.26083/tuprints-00019853
URL / URN: https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19853
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Herkunft: Zweitveröffentlichungsservice
Kurzbeschreibung (Abstract):

Hematite Fe₂O₃ seed layers are shown to constitute a pathway to prepare highly conductive transparent tin-doped indium oxide thin films by room temperature magnetron sputtering. Conductivities of up to δ = 3300 S/cm are observed. The improved conductivity is not restricted to the interface but related to an enhanced crystallization of the films, which proceeds in the rhombohedral phase.

Status: Verlagsversion
URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-198538
Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Strukturforschung
Hinterlegungsdatum: 11 Nov 2021 13:17
Letzte Änderung: 12 Nov 2021 07:50
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