Bauknecht, Andreas ; Blieske, U. ; Kampschulte, T. ; Albert, J. ; Sehnert, H. ; Lux-Steiner, Martha Ch. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram (2021)
Band offsets at the ZnSe/CuGaSe₂(001) heterointerface.
In: Applied Physics Letters, 1999, 74 (8)
doi: 10.26083/tuprints-00019834
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion
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Kurzbeschreibung (Abstract)
The formation of the ZnSe/CuGaSe₂ heterointerface was studied by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). ZnSe was sequentially grown on CuGaSe₂(001) epilayers. In situ photoemission spectra of the Ga 3d and Zn 3d core levels as well as XPS valence bands were acquired after each deposition step. The valence-band offset is determined to be ΔEV=0.6±0.1 eV. As a consequence, a nearly symmetric "type-I" band alignment for the ZnSe/CuGaSe₂ heterojunction with a conduction-band offset of ΔEC=0.4±0.1 eV is found. Concerning the band alignment ZnSe can, therefore, be expected to be a suitable buffer material for CuGaSe₂-based thin-film solar cells.
Typ des Eintrags: | Artikel |
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Erschienen: | 2021 |
Autor(en): | Bauknecht, Andreas ; Blieske, U. ; Kampschulte, T. ; Albert, J. ; Sehnert, H. ; Lux-Steiner, Martha Ch. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram |
Art des Eintrags: | Zweitveröffentlichung |
Titel: | Band offsets at the ZnSe/CuGaSe₂(001) heterointerface |
Sprache: | Englisch |
Publikationsjahr: | 2021 |
Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: | 1999 |
Verlag: | AIP Publishing |
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Applied Physics Letters |
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 74 |
(Heft-)Nummer: | 8 |
DOI: | 10.26083/tuprints-00019834 |
URL / URN: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19834 |
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Herkunft: | Zweitveröffentlichungsservice |
Kurzbeschreibung (Abstract): | The formation of the ZnSe/CuGaSe₂ heterointerface was studied by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). ZnSe was sequentially grown on CuGaSe₂(001) epilayers. In situ photoemission spectra of the Ga 3d and Zn 3d core levels as well as XPS valence bands were acquired after each deposition step. The valence-band offset is determined to be ΔEV=0.6±0.1 eV. As a consequence, a nearly symmetric "type-I" band alignment for the ZnSe/CuGaSe₂ heterojunction with a conduction-band offset of ΔEC=0.4±0.1 eV is found. Concerning the band alignment ZnSe can, therefore, be expected to be a suitable buffer material for CuGaSe₂-based thin-film solar cells. |
Status: | Verlagsversion |
URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-198349 |
Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung |
Hinterlegungsdatum: | 08 Nov 2021 12:10 |
Letzte Änderung: | 09 Nov 2021 06:11 |
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- Band offsets at the ZnSe/CuGaSe₂(001) heterointerface. (deposited 08 Nov 2021 12:10) [Gegenwärtig angezeigt]
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