Wendel, Philipp ; Dietz, Dominik ; Deuermeier, Jonas ; Klein, Andreas (2021)
Reversible Barrier Switching of ZnO/RuO₂ Schottky Diodes.
In: Materials, 2021, 14 (10)
doi: 10.26083/tuprints-00019377
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion
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Kurzbeschreibung (Abstract)
The current-voltage characteristics of ZnO/RuO₂ Schottky diodes prepared by magnetron sputtering are shown to exhibit a reversible hysteresis behavior, which corresponds to a variation of the Schottky barrier height between 0.9 and 1.3 eV upon voltage cycling. The changes in the barrier height are attributed to trapping and de-trapping of electrons in oxygen vacancies.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2021 |
| Autor(en): | Wendel, Philipp ; Dietz, Dominik ; Deuermeier, Jonas ; Klein, Andreas |
| Art des Eintrags: | Zweitveröffentlichung |
| Titel: | Reversible Barrier Switching of ZnO/RuO₂ Schottky Diodes |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 2021 |
| Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: | 2021 |
| Verlag: | MDPI |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Materials |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 14 |
| (Heft-)Nummer: | 10 |
| Kollation: | 7 Seiten |
| DOI: | 10.26083/tuprints-00019377 |
| URL / URN: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19377 |
| Zugehörige Links: | |
| Herkunft: | Zweitveröffentlichung aus gefördertem Golden Open Access |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | The current-voltage characteristics of ZnO/RuO₂ Schottky diodes prepared by magnetron sputtering are shown to exhibit a reversible hysteresis behavior, which corresponds to a variation of the Schottky barrier height between 0.9 and 1.3 eV upon voltage cycling. The changes in the barrier height are attributed to trapping and de-trapping of electrons in oxygen vacancies. |
| Status: | Verlagsversion |
| URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-193772 |
| Zusätzliche Informationen: | Keywords: Schottky barrier; resistive switching; zinc oxide; ruthenium oxide; oxygen vacancies |
| Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Elektronenstruktur von Materialien |
| Hinterlegungsdatum: | 26 Aug 2021 12:14 |
| Letzte Änderung: | 31 Aug 2021 05:15 |
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Verfügbare Versionen dieses Eintrags
- Reversible Barrier Switching of ZnO/RuO₂ Schottky Diodes. (deposited 26 Aug 2021 12:14) [Gegenwärtig angezeigt]
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