Nandi, U. ; Mohammadi, M. ; Lu, H. ; Norman, J. ; Gossard, A. C. ; Alff, L. ; Preu, S. (2021)
Material properties and performance of ErAs:In(Al)GaAs photoconductors for 1550 nm laser operation.
In: Journal of Vacuum Science and Technology A, 39 (2)
doi: 10.1116/6.0000773
Artikel, Bibliographie
Dies ist die neueste Version dieses Eintrags.
Typ des Eintrags: | Artikel |
---|---|
Erschienen: | 2021 |
Autor(en): | Nandi, U. ; Mohammadi, M. ; Lu, H. ; Norman, J. ; Gossard, A. C. ; Alff, L. ; Preu, S. |
Art des Eintrags: | Bibliographie |
Titel: | Material properties and performance of ErAs:In(Al)GaAs photoconductors for 1550 nm laser operation |
Sprache: | Englisch |
Publikationsjahr: | 5 Februar 2021 |
Verlag: | AIP Publishing |
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of Vacuum Science and Technology A |
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 39 |
(Heft-)Nummer: | 2 |
DOI: | 10.1116/6.0000773 |
Zugehörige Links: | |
Zusätzliche Informationen: | Art.No.: 023407 |
Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > THz Bauelemente und THz Systeme 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Terahertz Systems |
Hinterlegungsdatum: | 08 Mär 2021 07:31 |
Letzte Änderung: | 03 Jul 2024 02:50 |
PPN: | |
Export: | |
Suche nach Titel in: | TUfind oder in Google |
Verfügbare Versionen dieses Eintrags
-
Material properties and performance of ErAs:In(Al)GaAs photoconductors for 1550 nm laser operation. (deposited 16 Feb 2022 13:43)
- Material properties and performance of ErAs:In(Al)GaAs photoconductors for 1550 nm laser operation. (deposited 08 Mär 2021 07:31) [Gegenwärtig angezeigt]
Frage zum Eintrag |
Optionen (nur für Redakteure)
Redaktionelle Details anzeigen |