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Multistep stochastic mechanism of polarization reversal in rhombohedral ferroelectrics

Genenko, Yuri A. ; Khachaturyan, R. ; Vorotiahin, Ivan S. ; Schultheiß, Jan ; Daniels, John E. ; Grünebohm, Anna ; Koruza, Jurij (2020)
Multistep stochastic mechanism of polarization reversal in rhombohedral ferroelectrics.
In: Physical Review B, 102 (6)
doi: 10.1103/PhysRevB.102.064107
Artikel, Bibliographie

Kurzbeschreibung (Abstract)

A stochastic model for the field-driven polarization reversal in rhombohedral ferroelectrics is developed, providing a description of their temporal electromechanical response. Application of the model to simultaneous measurements of polarization and strain kinetics in a rhombohedral Pb(Zr, Ti)O3 ceramic over a wide time window allows the identification of preferable switching paths, fractions of individual switching processes, and their activation fields. In conjunction, the phenomenological Landau-Ginzburg-Devonshire theory is used to analyze the impact of an external field and stress on switching barriers, showing that residual mechanical stress may promote the fast switching.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2020
Autor(en): Genenko, Yuri A. ; Khachaturyan, R. ; Vorotiahin, Ivan S. ; Schultheiß, Jan ; Daniels, John E. ; Grünebohm, Anna ; Koruza, Jurij
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Multistep stochastic mechanism of polarization reversal in rhombohedral ferroelectrics
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 19 August 2020
Verlag: American Physical Society
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Physical Review B
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 102
(Heft-)Nummer: 6
DOI: 10.1103/PhysRevB.102.064107
URL / URN: https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.102.0...
Kurzbeschreibung (Abstract):

A stochastic model for the field-driven polarization reversal in rhombohedral ferroelectrics is developed, providing a description of their temporal electromechanical response. Application of the model to simultaneous measurements of polarization and strain kinetics in a rhombohedral Pb(Zr, Ti)O3 ceramic over a wide time window allows the identification of preferable switching paths, fractions of individual switching processes, and their activation fields. In conjunction, the phenomenological Landau-Ginzburg-Devonshire theory is used to analyze the impact of an external field and stress on switching barriers, showing that residual mechanical stress may promote the fast switching.

Freie Schlagworte: GE 1171/7-1 ; KP 5100/1-1
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Materialmodellierung
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Nichtmetallisch-Anorganische Werkstoffe
Hinterlegungsdatum: 21 Aug 2020 06:32
Letzte Änderung: 21 Sep 2020 12:05
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