Genenko, Yuri A. ; Khachaturyan, R. ; Vorotiahin, Ivan S. ; Schultheiß, Jan ; Daniels, John E. ; Grünebohm, Anna ; Koruza, Jurij (2020)
Multistep stochastic mechanism of polarization reversal in rhombohedral ferroelectrics.
In: Physical Review B, 102 (6)
doi: 10.1103/PhysRevB.102.064107
Artikel, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
A stochastic model for the field-driven polarization reversal in rhombohedral ferroelectrics is developed, providing a description of their temporal electromechanical response. Application of the model to simultaneous measurements of polarization and strain kinetics in a rhombohedral Pb(Zr, Ti)O3 ceramic over a wide time window allows the identification of preferable switching paths, fractions of individual switching processes, and their activation fields. In conjunction, the phenomenological Landau-Ginzburg-Devonshire theory is used to analyze the impact of an external field and stress on switching barriers, showing that residual mechanical stress may promote the fast switching.
Typ des Eintrags: | Artikel |
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Erschienen: | 2020 |
Autor(en): | Genenko, Yuri A. ; Khachaturyan, R. ; Vorotiahin, Ivan S. ; Schultheiß, Jan ; Daniels, John E. ; Grünebohm, Anna ; Koruza, Jurij |
Art des Eintrags: | Bibliographie |
Titel: | Multistep stochastic mechanism of polarization reversal in rhombohedral ferroelectrics |
Sprache: | Englisch |
Publikationsjahr: | 19 August 2020 |
Verlag: | American Physical Society |
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Physical Review B |
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 102 |
(Heft-)Nummer: | 6 |
DOI: | 10.1103/PhysRevB.102.064107 |
URL / URN: | https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.102.0... |
Kurzbeschreibung (Abstract): | A stochastic model for the field-driven polarization reversal in rhombohedral ferroelectrics is developed, providing a description of their temporal electromechanical response. Application of the model to simultaneous measurements of polarization and strain kinetics in a rhombohedral Pb(Zr, Ti)O3 ceramic over a wide time window allows the identification of preferable switching paths, fractions of individual switching processes, and their activation fields. In conjunction, the phenomenological Landau-Ginzburg-Devonshire theory is used to analyze the impact of an external field and stress on switching barriers, showing that residual mechanical stress may promote the fast switching. |
Freie Schlagworte: | GE 1171/7-1 ; KP 5100/1-1 |
Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Materialmodellierung 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Nichtmetallisch-Anorganische Werkstoffe |
Hinterlegungsdatum: | 21 Aug 2020 06:32 |
Letzte Änderung: | 21 Sep 2020 12:05 |
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