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Tuning the metal-insulator transition in epitaxial SrVO3 films by uniaxial strain

Wang, Changan ; Zhang, Hongbin ; Deepak, Kumar ; Chen, Chao ; Fouchet, Arnaud ; Duan, Juanmei ; Hilliard, Donovan ; Kentsch, Ulrich ; Chen, Deyang ; Zeng, Min ; Gao, Xingsen ; Zeng, Yu-Jia ; Helm, Manfred ; Prellier, Wilfrid ; Zhou, Shengqiang (2019)
Tuning the metal-insulator transition in epitaxial SrVO3 films by uniaxial strain.
In: Physical Review Materials, 3 (11)
doi: 10.1103/PhysRevMaterials.3.115001
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2019
Autor(en): Wang, Changan ; Zhang, Hongbin ; Deepak, Kumar ; Chen, Chao ; Fouchet, Arnaud ; Duan, Juanmei ; Hilliard, Donovan ; Kentsch, Ulrich ; Chen, Deyang ; Zeng, Min ; Gao, Xingsen ; Zeng, Yu-Jia ; Helm, Manfred ; Prellier, Wilfrid ; Zhou, Shengqiang
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Tuning the metal-insulator transition in epitaxial SrVO3 films by uniaxial strain
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 13 November 2019
Verlag: American Physical Society (APS)
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Physical Review Materials
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 3
(Heft-)Nummer: 11
DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.3.115001
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Theorie magnetischer Materialien
Hinterlegungsdatum: 30 Mär 2020 07:50
Letzte Änderung: 20 Jul 2021 11:25
PPN:
Projekte: Support by the Ion Beam Center at Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf is gratefully acknowledged., C.W. thanks China Scholarship Council (Grant No. 201606750007) for financial support., S.Z. acknowledges financial support from the German Research Foundation (Grant No. ZH 225/10-1)., his work was also supported by the Shenzhen Science and Technology Project under Grants No. JCYJ20170412105400428 and No. KQJSCX20170727101208249., D.C. acknowledges financial support from the National Natural Science Foundation of China (Grants No. 11704130 and No. U1832104).
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