Auf polykristallinem Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) basierende Dünnschichtsolarzellen erreichen im Labor einen Wirkungsgrad von bis zu 23%, eine der höchsten aller Dünnschichtsolarzellen. Ein Ziel weiterer Forschung und Entwicklung auf dem Gebiet von CIGS-Solarzellen ist das Erreichen eines Wirkungsgrades von 25% und mehr, welchen monokristalline Silizium-Solarzellen aufweisen. Um dieses Ziel zu erreichen, sollten limitierende Faktoren, wie z.B. nichtstrahlende Rekombination von Ladungsträgern, reduziert werden. Solche Rekombinationsprozesse können an Versetzungen und planaren Gitterdefekten in den Absorbern (und an Grenzflächen wie diejenige zwischen Absorber und Pufferschicht) verstärkt auftreten. Das Ziel der vorliegenden Arbeit ist es, ein besseres Verständnis der Struktur und Zusammensetzung dieser Defekte sowie ihrer Entwicklung während des CIGS-Wachstums zu erlangen. Die höchste Effizienz für CIGS-Solarzellen wird erreicht, wenn der CIGS-Absorber in einem dreistufigen Koverdampfungsprozess hergestellt wird. Während der zweiten Stufe dieses Prozesses verdampft man Kupfer und Selen auf der in der ersten Stufe gebildeten (In,Ga)2Se3-Schicht. Die Zusammensetzung des Absorbers wird während der zweiten Stufe Cu-reich ([Cu]/([In] + [Ga]) > 1). Neben der Änderung der Zusammensetzung wird auch Kornwachstum (oder Rekristallisation) und Defektannihilation angeregt. Daher ist die Untersuchung der Entwicklung der Mikrostruktur während der zweiten Stufe des CIGS-Wachstums sehr wichtig. In der Fachliteratur werden zu diesem Zweck zwei Methoden vorgeschlagen: i) die Untersuchung der Veränderung der Mikrostruktur von Diffusionspaaren während des Erhitzens; ii) ex-situ Vergleiche von Proben nach beendetem bzw. unterbrochenem Wachstum. Im ersten Teil der vorliegenden Arbeit wurde eine Cu-arme ([Cu]/([In] < 1) CuInSe2 (CIS) Vorläuferschicht mit einer Cu2-xSe-Deckschicht präpariert und in einem Rastertransmissionselektronenmikroskop (STEM, engl. scanning transmission electron microscope) erhitzt, um die Rekristallisation nachzuahmen. Während der Cu-Diffusion von der Cu-reichen Cu2-xSe-Phase in die Cu-arme CIS-Phase wurde das Wachstum von defektfreien Körnern zu Körnen mit eng beieinander liegenden Gitterfehlern durch eine Dunkelfeldabbildung unter flachem Winkel (LAADF, engl. low-angle annular dark-field) beobachtet, wohingegen die Tiefenprofile der Elemente durch energiedispersive Röntgenspektroskopie (EDXS, engl. energy-dispersive X-ray spectroscopy), sowohl vor als auch nach dem Erhitzen, analysiert wurden. Hinweise auf einen erheblichen Einfluss des Überschusses von Kupfer auf die Rekristallisation lieferte ein in-situ Experiment, bei dem eine Cu-arme CIS-Folie ohne eine Cu2-xSe-Deckschicht erwärmt wurde und weder Kornwachstum noch Defektannihilation festgestellt wurden. Die Überwachung der Rekristallisation innerhalb der CIS-Absorptionsschichten wurde mittels STEM durchgeführt und lieferte direkte Nachweise für den vorliegenden Kornwachstums-Mechanismus. Im zweiten Teil dieser Studie wurde ein durch Koverdampfung gewachsener CIGS-Absorber analysiert. Während des Wachstums war ein Teil der Probe in der zweiten Stufe, bevor die Rekristallisation einsetzte, entfernt worden. Das verbleibende Stück der Probe durchlief den dreistufigen Prozess. Die kompositionelle Charakterisierung der Defekte sowie die Tiefenprofilanalyse der Elemente wurden sowohl durch STEM-LAADF als auch durch EDXS durchgeführt. Ähnlich zu den Ergebnissen des in-situ Wärmeexperiments wurden weitaus größere Körner mit reduzierten Dichten an linearen und planaren ein- und zweidimensionalen Gitterfehlern in einer Absorptionsschicht gefunden, welche den Wachstumsprozess komplett durchlaufen hatte. Obwohl sich die meisten strukturellen Defekte nach der Rekristallisation aufgelöst hatten, wurden einige wenige strukturelle Defekte durch LAADF nach der Rekristallisation festgestellt und sogar nachdem der dreistufige Wachstumsprozess abgeschlossen war. Weitere Analysen wurde mit einem Cs-korrigierten, hochauflösenden STEM in Kombination mit Elektronenenergieverlustspektroskopie (EELS, engl. electron energy–loss spectroscopy) durchgeführt, um die Art individueller Mikrostrukturdefekte in den unterschiedlichen Stufen des Wachstumsprozesses erklären zu können. Diese Untersuchungen legten die Beschaffenheit und chemische Zusammensetzung der Defekte offen, die sowohl in der Probe mit abgeschlossenen Wachstum, als auch in der mit unterbrochenem Wachstum zu finden sind: Σ3-Zwillingsgrenzen und Stapelfehler mit stöchiometrischer Elemente Verteilung, Korngrenzen, Neigungsgrenzen und Versetzungen mit Umverteilung der Kationen, d.h. Kupfer Anreicherung und Indium Abnahme. Stöchiometrische Inversionsgrenzen, Kupfer angereicherte, 'komplexe' zweidimensionale Gitterfehler und extrinsische Stapelfehler mit partiellen Frank-Versetzungen wurden nur in der Cu-armen Probe mit unterbrochenem Wachstum gefunden, wohingegen eine ‘sekundäre Cu2–xSe-Phase’ nur in der Absorptionsschicht der Probe mit abgeschlossen Wachstum gefunden wurde. Die vorliegende Arbeit liefert unmittelbare Einblicke in die Rekristallisation von CIGS-Absorbern und der Entwicklung von strukturellen Defekten, sowie eine ausführliche Untersuchung der individuellen strukturellen Defekte in CIGS-Absorbern.